Продукція > UMW > FDD5680
FDD5680

FDD5680 UMW

725a5d2d1b55431e38fe1ffcb13162d7.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.51 грн
10+35.01 грн
100+22.67 грн
500+16.26 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD5680 UMW

Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDD5680 за ціною від 37.86 грн до 143.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5680 FDD5680 Виробник : onsemi fdd5680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.58 грн
10+85.31 грн
100+57.48 грн
500+42.76 грн
1000+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680 FDD5680 Виробник : onsemi / Fairchild FDD5680-D.PDF MOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.33 грн
10+93.30 грн
100+53.78 грн
500+43.58 грн
1000+40.56 грн
2500+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680 Виробник : FAIRCHILD fdd5680-d.pdf 725a5d2d1b55431e38fe1ffcb13162d7.pdf 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680 Виробник : FAIRCHILD fdd5680-d.pdf 725a5d2d1b55431e38fe1ffcb13162d7.pdf TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680 Виробник : fairchild fdd5680-d.pdf 725a5d2d1b55431e38fe1ffcb13162d7.pdf to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680 FDD5680 Виробник : ON Semiconductor fdd5680d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680 FDD5680 Виробник : onsemi fdd5680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680 FDD5680 Виробник : UMW 725a5d2d1b55431e38fe1ffcb13162d7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680 Виробник : ONSEMI fdd5680-d.pdf 725a5d2d1b55431e38fe1ffcb13162d7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 100A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.