| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.89 грн |
| 10+ | 32.85 грн |
| 100+ | 21.27 грн |
| 500+ | 15.25 грн |
| 1000+ | 13.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD5680 UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V.
Інші пропозиції FDD5680 за ціною від 34.15 грн до 130.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD5680 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch PowerTrench |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD5680 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD5680 | Виробник : fairchild |
to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
FDD5680 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FDD5680 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |

