Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDD5680
FDD5680

FDD5680 onsemi / Fairchild

FDD5680_D-2312252.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Ch PowerTrench
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.34 грн
10+ 81.18 грн
100+ 54.54 грн
500+ 45.68 грн
1000+ 38.16 грн
2500+ 34.9 грн
5000+ 33.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD5680 onsemi / Fairchild

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDD5680

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD5680 Виробник : FAIRCHILD FAIR-S-A0002365580-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD5680 Виробник : FAIRCHILD FAIR-S-A0002365580-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD5680 Виробник : fairchild FAIR-S-A0002365580-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD5680 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365580-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD5680 SMD N channel transistors
товар відсутній
FDD5680 FDD5680 Виробник : onsemi FAIR-S-A0002365580-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V
товар відсутній