| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.24 грн |
| 10+ | 32.46 грн |
| 100+ | 21.02 грн |
| 500+ | 15.07 грн |
| 1000+ | 13.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD5680 UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V.
Інші пропозиції FDD5680 за ціною від 36.88 грн до 129.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD5680 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDD5680 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch PowerTrench |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDD5680 | fairchild |
to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDD5680 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.41 грн |
| 10+ | 79.10 грн |
| 100+ | 53.29 грн |
| 500+ | 39.65 грн |
| 1000+ | 36.88 грн |
| FDD5680 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch PowerTrench
MOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)