Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD5690
FDD5690

FDD5690 ON Semiconductor

fdd5690-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+63.44 грн
11+55.07 грн
100+47.08 грн
500+40.82 грн
1000+36.22 грн
2500+32.92 грн
5000+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD5690 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDD5690 за ціною від 40.90 грн до 162.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5690 FDD5690 Виробник : ONSEMI 2285727.pdf Description: ONSEMI - FDD5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 7839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.17 грн
500+54.22 грн
1000+45.48 грн
5000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5690 FDD5690 Виробник : ONSEMI 2285727.pdf Description: ONSEMI - FDD5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 7839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.44 грн
10+105.95 грн
100+79.17 грн
500+54.22 грн
1000+45.48 грн
5000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5690 FDD5690 Виробник : onsemi fdd5690-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.35 грн
10+100.52 грн
100+68.29 грн
500+51.13 грн
1000+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5690 FDD5690 Виробник : ON Semiconductor fdd5690-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5690 Виробник : ON-Semicoductor fdd5690-d.pdf N-Channel 60V 30A (Tc) 3.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252 FDD5690 ON Semiconductor TFDD5690
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5690 FDD5690 Виробник : onsemi fdd5690-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5690 FDD5690 Виробник : onsemi / Fairchild FDD5690_D-1807294.pdf MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.