FDD5690 ON-Semiconductor
Виробник: ON-Semiconductor
N-Channel 60V 30A (Tc) 3.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252 FDD5690 ON Semiconductor TFDD5690
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 49.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD5690 ON-Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDD5690 за ціною від 45.95 грн до 158.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD5690 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
на замовлення 1812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDD5690 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDD5690 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 158.86 грн |
| 10+ | 98.35 грн |
| 100+ | 66.82 грн |
| 500+ | 50.02 грн |
| 1000+ | 45.95 грн |
| FDD5690 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench
MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)