FDD5N60NZTM


fdd5n60nz-d.pdf
Код товару: 163415
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Харків
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD5N60NZTM за ціною від 27.27 грн до 90.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.18 грн
5000+ 28.59 грн
12500+ 27.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI 2724463.pdf Description: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+50.11 грн
500+ 32.13 грн
2500+ 29.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+59.5 грн
8+ 49.16 грн
22+ 37.39 грн
60+ 35.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.4 грн
5+ 61.26 грн
22+ 44.87 грн
60+ 42.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 41732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.5 грн
10+ 59.41 грн
100+ 46.19 грн
500+ 36.74 грн
1000+ 29.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : onsemi / Fairchild FDD5N60NZ_D-2311974.pdf MOSFET N-Channel 600V 4A
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.2 грн
10+ 66.04 грн
100+ 44.67 грн
500+ 37.89 грн
1000+ 30.84 грн
2500+ 28.98 грн
5000+ 27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI 2724463.pdf Description: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.22 грн
11+ 69.2 грн
100+ 50.11 грн
500+ 32.13 грн
2500+ 29.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor 4266732863514742fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor 4266732863514742fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor 4266732863514742fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній