Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD5N60NZTM

FDD5N60NZTM

fdd5n60nz-d.pdf
Код товару: 163415
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD5N60NZTM за ціною від 26.24 грн до 130.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.47 грн
5000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI 2724463.pdf Description: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.17 грн
500+37.91 грн
1000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM onsemi / Fairchild fdd5n60nz-d.pdf MOSFETs N-Channel 600V 4A
на замовлення 8134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.99 грн
10+65.83 грн
100+40.64 грн
500+34.10 грн
1000+31.13 грн
2500+27.14 грн
5000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.43 грн
5+89.38 грн
10+77.94 грн
25+64.34 грн
100+48.59 грн
250+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 35873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.76 грн
10+76.71 грн
100+51.52 грн
500+38.20 грн
1000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI 2724463.pdf Description: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.99 грн
10+83.58 грн
100+56.17 грн
500+37.91 грн
1000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+32.47 грн
5000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM 2724463.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+56.17 грн
500+37.91 грн
1000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel 600V 4A
на замовлення 8134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.99 грн
10+65.83 грн
100+40.64 грн
500+34.10 грн
1000+31.13 грн
2500+27.14 грн
5000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+121.43 грн
5+89.38 грн
10+77.94 грн
25+64.34 грн
100+48.59 грн
250+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 35873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.76 грн
10+76.71 грн
100+51.52 грн
500+38.20 грн
1000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM 2724463.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+130.99 грн
10+83.58 грн
100+56.17 грн
500+37.91 грн
1000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.