FDD5N60NZTM


fdd5n60nz-d.pdf
Код товару: 163415
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD5N60NZTM за ціною від 29.73 грн до 98.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.02 грн
5000+30.70 грн
7500+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI 2724463.pdf Description: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.95 грн
500+38.98 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.25 грн
8+53.73 грн
22+43.85 грн
60+41.45 грн
500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.30 грн
5+66.96 грн
22+52.62 грн
60+49.75 грн
500+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : onsemi / Fairchild fdd5n60nz-d.pdf MOSFETs N-Channel 600V 4A
на замовлення 10734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.22 грн
10+80.88 грн
100+45.69 грн
500+36.96 грн
1000+34.06 грн
2500+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 46115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.41 грн
10+67.44 грн
100+47.86 грн
500+37.76 грн
1000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI 2724463.pdf Description: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.73 грн
12+77.44 грн
100+54.95 грн
500+38.98 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor 4266732863514742fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.