Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD5N60NZTM

FDD5N60NZTM

fdd5n60nz-d.pdf
Код товару: 163415
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD5N60NZTM за ціною від 29.17 грн до 123.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.83 грн
5000+30.29 грн
7500+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI 2724463.pdf Description: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.01 грн
500+36.60 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
417+59.64 грн
500+53.67 грн
1000+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.14 грн
7+63.95 грн
10+58.77 грн
25+51.51 грн
100+41.54 грн
250+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI 2724463.pdf Description: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.88 грн
12+71.79 грн
100+51.01 грн
500+36.60 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.77 грн
5+79.69 грн
10+70.52 грн
25+61.81 грн
100+49.85 грн
250+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : onsemi / Fairchild fdd5n60nz-d.pdf MOSFETs N-Channel 600V 4A
на замовлення 8134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.56 грн
10+73.15 грн
100+45.16 грн
500+37.89 грн
1000+34.60 грн
2500+30.16 грн
5000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 35975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.38 грн
10+75.11 грн
100+50.31 грн
500+37.25 грн
1000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor 4266732863514742fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.