Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD5N60NZTM

FDD5N60NZTM

fdd5n60nz-d.pdf
Код товару: 163415
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD5N60NZTM за ціною від 28.85 грн до 100.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.28 грн
5000+29.37 грн
7500+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI 2724463.pdf Description: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.52 грн
500+36.25 грн
1000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
417+59.07 грн
500+53.16 грн
1000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.40 грн
10+62.87 грн
22+43.12 грн
60+40.76 грн
250+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : onsemi fdd5n60nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.58 грн
10+66.74 грн
100+47.41 грн
500+36.64 грн
1000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI 2724463.pdf Description: ONSEMI - FDD5N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.01 грн
12+71.11 грн
100+50.52 грн
500+36.25 грн
1000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : onsemi / Fairchild fdd5n60nz-d.pdf MOSFETs N-Channel 600V 4A
на замовлення 8134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.65 грн
10+72.46 грн
100+44.74 грн
500+37.53 грн
1000+34.27 грн
2500+29.87 грн
5000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.03 грн
5+85.24 грн
10+75.44 грн
22+51.75 грн
60+48.91 грн
250+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor 4266732863514742fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Виробник : ON Semiconductor fdd5n60nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.