Інші пропозиції FDD6530A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD6530A | Виробник : fairchild |
to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDD6530A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 21A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|
 |
FDD6530A | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 21A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
|
 |
FDD6530A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 20V N-Ch PowerTrench |
товару немає в наявності |