
FDD6612A Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 262679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
598+ | 37.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD6612A Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDD6612A за ціною від 59.81 грн до 59.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD6612A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FDD6612A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
FDD6612A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDD6612A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 21076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDD6612A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 5904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDD6612A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 13225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDD6612A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 82286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDD6612A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 56989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDD6612A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDD6612A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 31856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDD6612A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDD6612A | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
FDD6612A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FDD6612A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FDD6612A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||
FDD6612A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
FDD6612A | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |