FDD6630A ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 4207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD6630A ON Semiconductor / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 30V 21A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 28W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDD6630A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD6630A | Виробник : FAIRCHILD |
 07+ TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDD6630A | Виробник : FAIRCHILD |
D-PAK/ TO-252 |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDD6630A | Виробник : FAIRCHILD |
TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDD6630A | Виробник : fairchild |
to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDD6630A | Виробник : FSC |
|
на замовлення 11500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDD6630A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
FDD6630A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|
|
|
FDD6630A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 15 V |
товар відсутній |