FDD6632 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2049+ | 10.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD6632 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK).
Інші пропозиції FDD6632
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD6632 | Виробник : fairchild |
to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDD6632 | Виробник : ONS/FAI |
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 9 A, 0.058 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |