
FDD6632 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
на замовлення 17099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2049+ | 11.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD6632 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9A DPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDD6632
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FDD6632 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDD6632 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDD6632 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDD6632 | Виробник : fairchild |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |