FDD6637. ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637. - P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 35
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097
SVHC: Lead
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Технічний опис FDD6637. ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637. - P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 35, Dauer-Drainstrom Id: 13, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, Verlustleistung Pd: 57, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, Verlustleistung: 57, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: P Channel, Kanaltyp: P Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097, SVHC: Lead.


