Результат пошуку "fdd6637." : 8

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD6637 FDD6637 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+134.40 грн
10+89.14 грн
15+63.56 грн
40+60.46 грн
250+58.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+61.00 грн
202+60.52 грн
223+54.73 грн
250+51.94 грн
500+43.43 грн
1000+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.65 грн
25+56.19 грн
100+49.01 грн
250+44.66 грн
500+38.71 грн
1000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+62.39 грн
1000+61.44 грн
2500+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.41 грн
50+106.85 грн
100+76.72 грн
500+56.74 грн
1000+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.72 грн
500+56.74 грн
1000+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637-F085 FDD6637-F085 ON Semiconductor fdd6637_f085-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+134.40 грн
10+89.14 грн
15+63.56 грн
40+60.46 грн
250+58.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+61.00 грн
202+60.52 грн
223+54.73 грн
250+51.94 грн
500+43.43 грн
1000+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+56.65 грн
25+56.19 грн
100+49.01 грн
250+44.66 грн
500+38.71 грн
1000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+62.39 грн
1000+61.44 грн
2500+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.41 грн
50+106.85 грн
100+76.72 грн
500+56.74 грн
1000+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.72 грн
500+56.74 грн
1000+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637-F085 fdd6637_f085-d.pdf
FDD6637-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.