Результат пошуку "fdd6637." : 9
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD6637 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -35V Drain current: -55A Power dissipation: 57W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD6637 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 15464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD6637 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 15464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD6637 | onsemi / Fairchild | MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 28677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD6637 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDD6637 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDD6637 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDD6637-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 35V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDD6637-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 35V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
FDD6637 |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.11 грн |
5+ | 75.42 грн |
14+ | 58.12 грн |
39+ | 54.66 грн |
FDD6637 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 15464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 141.58 грн |
10+ | 100.6 грн |
100+ | 82.71 грн |
500+ | 69.89 грн |
FDD6637 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 15464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 82.71 грн |
500+ | 69.89 грн |
FDD6637 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET
MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 28677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.25 грн |
10+ | 91.67 грн |
100+ | 63.04 грн |
500+ | 53.41 грн |
1000+ | 52.34 грн |
2500+ | 52.28 грн |
FDD6637-F085 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD6637-F085 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 35V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній