Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD6637
FDD6637

FDD6637 ON Semiconductor

fdd6637-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.51 грн
5000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD6637 ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDD6637 за ціною від 17.50 грн до 166.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.01 грн
5000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+61.57 грн
1000+60.71 грн
2500+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+65.56 грн
25+64.81 грн
100+54.06 грн
250+50.01 грн
500+42.14 грн
1000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.59 грн
500+51.22 грн
1000+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+70.60 грн
175+69.79 грн
202+60.38 грн
250+58.16 грн
500+47.27 грн
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : UMW 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.21 грн
10+45.87 грн
100+30.02 грн
500+21.75 грн
1000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.61 грн
10+94.80 грн
100+66.57 грн
500+49.80 грн
1000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.55 грн
10+87.92 грн
15+63.45 грн
39+59.63 грн
250+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637
Код товару: 86650
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Fairchild fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-252
Uds,V: 35 V
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2370/45
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.50 грн
10+19.00 грн
100+17.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.78 грн
50+96.33 грн
100+67.59 грн
500+51.22 грн
1000+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.06 грн
10+109.56 грн
15+76.14 грн
39+71.56 грн
250+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi / Fairchild fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 24720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.96 грн
10+108.88 грн
100+64.07 грн
500+51.15 грн
1000+46.90 грн
2500+43.52 грн
5000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : UMW 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor 3653401639398837fdd6637.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : UMW 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.