Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDD6637 Fairchild
FDD6637

FDD6637 Fairchild

fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf
Код товару: 86650
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: TO-252
Напруга сток-витік Uds, V: 35 V
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 2370/45
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.50 грн
10+19.00 грн
100+17.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD6637 за ціною від 16.67 грн до 160.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD6637 FDD6637 UMW 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.80 грн
5000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ONSEMI fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
на замовлення 7124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.44 грн
500+65.44 грн
1000+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 UMW 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.39 грн
10+44.77 грн
100+29.25 грн
500+21.19 грн
1000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.05 грн
191+74.30 грн
213+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.24 грн
250+72.03 грн
500+69.54 грн
1000+64.23 грн
2500+51.51 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.06 грн
11+75.05 грн
25+74.30 грн
100+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.51 грн
5+100.32 грн
10+88.72 грн
50+64.67 грн
100+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.76 грн
10+95.59 грн
100+64.87 грн
500+48.53 грн
1000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 ONSEMI fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
на замовлення 7124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.72 грн
50+102.86 грн
100+71.44 грн
500+65.44 грн
1000+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 onsemi fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf
FDD6637
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.80 грн
5000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
на замовлення 7124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+71.44 грн
500+65.44 грн
1000+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf
FDD6637
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.39 грн
10+44.77 грн
100+29.25 грн
500+21.19 грн
1000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+75.05 грн
191+74.30 грн
213+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+87.24 грн
250+72.03 грн
500+69.54 грн
1000+64.23 грн
2500+51.51 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+94.06 грн
11+75.05 грн
25+74.30 грн
100+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637.pdf
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+137.51 грн
5+100.32 грн
10+88.72 грн
50+64.67 грн
100+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 fdd6637-d.pdf
FDD6637
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+155.76 грн
10+95.59 грн
100+64.87 грн
500+48.53 грн
1000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf
FDD6637
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
на замовлення 7124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+160.72 грн
50+102.86 грн
100+71.44 грн
500+65.44 грн
1000+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf
FDD6637
Виробник: onsemi
MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.