Продукція > ONSEMI > FDD6637
FDD6637

FDD6637 onsemi

fdd6637-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.61 грн
5000+ 41.83 грн
12500+ 39.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD6637 onsemi

Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDD6637 за ціною від 17.5 грн до 129.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+69.49 грн
1000+ 68.43 грн
2500+ 64.07 грн
5000+ 60.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI 686553.pdf Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 14645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+78.73 грн
500+ 61.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
119+103.39 грн
122+ 100.72 грн
152+ 80.85 грн
250+ 77.19 грн
500+ 61.37 грн
1000+ 41.26 грн
Мінімальне замовлення: 119
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI fdd6637-d.pdf Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+104.6 грн
50+ 91.62 грн
100+ 78.73 грн
500+ 61.97 грн
1000+ 47.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+107.84 грн
5+ 82.07 грн
14+ 63.24 грн
39+ 59.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 71895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.24 грн
10+ 86.89 грн
100+ 67.57 грн
500+ 53.75 грн
1000+ 43.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+116.64 грн
10+ 96.01 грн
25+ 93.52 грн
100+ 72.39 грн
250+ 66.37 грн
500+ 54.71 грн
1000+ 38.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi / Fairchild FDD6637_D-2312192.pdf MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 25830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.12 грн
10+ 99.75 грн
100+ 67.22 грн
500+ 56.96 грн
1000+ 46.4 грн
2500+ 45.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.41 грн
5+ 102.27 грн
14+ 75.89 грн
39+ 71.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD6637 FDD6637
Код товару: 86650 		Виробник : Fairchild fdd6637-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-252
Uds,V: 35 V
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2370/45
Монтаж: SMD
товар відсутній
Кількість Ціна без ПДВ
1+20.5 грн
10+ 19 грн
100+ 17.5 грн
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor 3653401639398837fdd6637.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній