Продукція > UMW > FDD6637
FDD6637

FDD6637 UMW

98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.08 грн
5000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD6637 UMW

Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDD6637 за ціною від 17.50 грн до 158.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+68.65 грн
191+67.96 грн
213+60.86 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.93 грн
500+55.42 грн
1000+46.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : UMW 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.47 грн
10+45.42 грн
100+29.68 грн
500+21.50 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
163+79.79 грн
250+65.88 грн
500+63.60 грн
1000+58.74 грн
2500+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.18 грн
11+73.55 грн
25+72.81 грн
100+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.15 грн
50+104.36 грн
100+74.93 грн
500+55.42 грн
1000+46.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+139.51 грн
5+101.78 грн
10+90.01 грн
50+65.61 грн
100+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.46 грн
10+96.44 грн
100+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.02 грн
10+96.98 грн
100+65.81 грн
500+49.23 грн
1000+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637
Код товару: 86650
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Fairchild fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-252
Uds,V: 35 V
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2370/45
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.50 грн
10+19.00 грн
100+17.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.