Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDD6637 Fairchild
FDD6637

FDD6637 Fairchild

fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf
Код товару: 86650
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: TO-252
Uds,V: 35 V
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2370/45
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.50 грн
10+19.00 грн
100+17.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD6637 за ціною від 16.71 грн до 156.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD6637 FDD6637 Виробник : UMW 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.85 грн
5000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+68.65 грн
191+67.96 грн
213+60.86 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.05 грн
500+54.77 грн
1000+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : UMW 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.60 грн
10+44.90 грн
100+29.33 грн
500+21.25 грн
1000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
163+79.79 грн
250+65.88 грн
500+63.60 грн
1000+58.74 грн
2500+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.18 грн
11+73.55 грн
25+72.81 грн
100+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+134.57 грн
50+103.14 грн
100+74.05 грн
500+54.77 грн
1000+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI FDD6637.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.88 грн
5+100.60 грн
10+88.96 грн
50+64.85 грн
100+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.69 грн
10+95.32 грн
100+56.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.18 грн
10+95.85 грн
100+65.05 грн
500+48.66 грн
1000+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 Виробник : ONS/FAI fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf MOSFET P-CH 35V 13A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.