Продукція > ONSEMI > FDD6637
FDD6637

FDD6637 onsemi

fdd6637-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD6637 onsemi

Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDD6637 за ціною від 17.50 грн до 142.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
248+50.43 грн
249+50.24 грн
251+49.85 грн
253+47.70 грн
500+43.82 грн
1000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 248
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+57.57 грн
14+54.03 грн
25+53.82 грн
100+51.51 грн
250+47.32 грн
500+45.07 грн
1000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+72.15 грн
1000+67.56 грн
2500+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI fdd6637-d.pdf Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.38 грн
500+57.97 грн
1000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.87 грн
5+90.28 грн
10+82.36 грн
50+64.15 грн
100+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.41 грн
10+95.11 грн
100+64.58 грн
500+48.31 грн
1000+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Drain current: -55A
Drain-source voltage: -35V
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 19mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.05 грн
5+112.51 грн
10+98.84 грн
50+76.98 грн
100+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi / Fairchild FDD6637-D.pdf MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 4604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.82 грн
10+102.30 грн
100+61.81 грн
500+49.27 грн
1000+46.30 грн
2500+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI fdd6637-d.pdf Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0116 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.43 грн
50+109.17 грн
100+78.38 грн
500+57.97 грн
1000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637
Код товару: 86650
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Fairchild fdd6637-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-252
Uds,V: 35 V
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2370/45
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+19.00 грн
100+17.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor 3653401639398837fdd6637.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.