Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD6637
FDD6637

FDD6637 ON Semiconductor

fdd6637-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+56.92 грн
25+56.47 грн
100+49.25 грн
250+44.87 грн
500+38.90 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD6637 ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDD6637 за ціною від 17.50 грн до 165.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+61.30 грн
202+60.81 грн
223+55.00 грн
250+52.19 грн
500+43.64 грн
1000+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+68.37 грн
1000+64.72 грн
2500+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.90 грн
500+58.36 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : UMW 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.48 грн
10+47.83 грн
100+31.31 грн
500+22.68 грн
1000+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.11 грн
10+98.85 грн
100+69.42 грн
500+51.93 грн
1000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.22 грн
10+91.68 грн
15+65.37 грн
40+62.18 грн
250+60.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD6637 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.37 грн
50+109.89 грн
100+78.90 грн
500+58.36 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi / Fairchild fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 15436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.75 грн
10+108.25 грн
100+68.73 грн
500+54.72 грн
1000+50.20 грн
2500+47.30 грн
5000+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE7F191DCDBE28&compId=FDD6637.pdf?ci_sign=d0f88e0396ba7c4537cdcb6466484af1c291a595 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -35V; -55A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -35V
Drain current: -55A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.87 грн
10+114.25 грн
15+78.45 грн
40+74.62 грн
250+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637
Код товару: 86650
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Fairchild fdd6637-d.pdf 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-252
Uds,V: 35 V
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2370/45
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.50 грн
10+19.00 грн
100+17.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor fdd6637-d.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : ON Semiconductor 3653401639398837fdd6637.pdf Trans MOSFET P-CH 35V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : onsemi fdd6637-d.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : UMW 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6637 FDD6637 Виробник : UMW 98bbc2f062f70b44d87d0979bf632516.pdf Description: MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.