FDD6670A

FDD6670A onsemi


fdd6670a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD6670A onsemi

Description: ONSEMI - FDD6670A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD6670A за ціною від 18.78 грн до 128.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD6670A FDD6670A Виробник : ON Semiconductor fdd6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+46.65 грн
14+44.54 грн
25+44.09 грн
50+42.09 грн
100+34.88 грн
250+33.42 грн
500+30.21 грн
1000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A FDD6670A Виробник : ON Semiconductor fdd6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+47.97 грн
257+47.49 грн
260+47.01 грн
291+37.49 грн
500+32.54 грн
1000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A FDD6670A Виробник : UMW 6eb98cb5d24ebe1d1ece7fc59f76ef36.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 66A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.21 грн
10+44.06 грн
100+28.72 грн
500+20.77 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A FDD6670A Виробник : ONSEMI 2304124.pdf Description: ONSEMI - FDD6670A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.94 грн
11+79.64 грн
100+56.70 грн
500+37.09 грн
1000+30.77 грн
5000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A FDD6670A Виробник : onsemi / Fairchild FDD6670A_D-2312257.pdf MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
на замовлення 8347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.86 грн
10+79.44 грн
100+49.22 грн
500+39.80 грн
1000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A FDD6670A Виробник : onsemi fdd6670a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.92 грн
10+78.86 грн
100+53.00 грн
500+39.33 грн
1000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A FDD6670A Виробник : ON Semiconductor 3345997148396210fdd6670a.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A Виробник : ONSEMI fdd6670a-d.pdf 6eb98cb5d24ebe1d1ece7fc59f76ef36.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; DPAK
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A FDD6670A Виробник : UMW 6eb98cb5d24ebe1d1ece7fc59f76ef36.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 66A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670A Виробник : ONSEMI fdd6670a-d.pdf 6eb98cb5d24ebe1d1ece7fc59f76ef36.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; DPAK
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.