FDD6670AL

FDD6670AL Fairchild Semiconductor


FAIRS44043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 48828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+107.38 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD6670AL Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 83W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції FDD6670AL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD6670AL Виробник : FSC FAIRS44043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD6670AL.pdf 09+
на замовлення 32208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6670AL FDD6670AL Виробник : onsemi FDD6670AL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.