Технічний опис FDD6676AS UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 70W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції FDD6676AS за ціною від 96.82 грн до 96.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD6676AS | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 70W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk |
на замовлення 209310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FDD6676AS | Виробник : FAIRCHILD |
D-PAK/ TO-252 |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
FDD6676AS | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FDD6676AS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252 Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 70W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V |
товару немає в наявності |