на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD6680AS UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 55A TO252, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDD6680AS за ціною від 44.72 грн до 67.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD6680AS | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 55A TO252Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V |
на замовлення 9266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDD6680AS | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
| FDD6680AS | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FDD6680AS | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FDD6680AS | Виробник : FAIRCHILD |
D-PAK/ TO-252 |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
FDD6680AS | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 55A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FDD6680AS | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FDD6680AS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 55A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FDD6680AS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 55A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FDD6680AS | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 55A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |