Технічний опис FDD6688 FAIRCHILD
Description: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDD6688
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD6688 | Виробник : FAIRCHILD |
 D-PAK/ TO-252 |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDD6688 | Виробник : FAIRCHILD |
TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDD6688 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
FDD6688 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
FDD6688 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FDD6688 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench |
товару немає в наявності |