Інші пропозиції FDD6690A за ціною від 60.35 грн до 60.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD6690A | Fairchild |
N-Channel 30V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD6690A ON Semiconductor TFDD6690aкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
|
FDD6690A | onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
FDD6690A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 46 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 50 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 50 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDD6690A |
![]() |
Виробник: Fairchild
N-Channel 30V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD6690A ON Semiconductor TFDD6690a
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel 30V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD6690A ON Semiconductor TFDD6690a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 60.35 грн |
| FDD6690A |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDD6690A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDD6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



