FDD6796A Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 25V 20A/40A TO252
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 533+ | 41.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD6796A Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 25V 20A/40A TO252, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 13 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): ±20V, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA.
Інші пропозиції FDD6796A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD6796A | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 25V 40A N-Channel PowerTrench |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |