FDD6N25TM

FDD6N25TM Fairchild Semiconductor


fdd6n25-d.pdf
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 1038784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
740+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD6N25TM Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції FDD6N25TM за ціною від 25.99 грн до 56.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD6N25TM FDD6N25TM Виробник : onsemi / Fairchild FDD6N25_D-2312103.pdf MOSFET 250V N-CH MOSFET
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.41 грн
10+49.44 грн
100+32.89 грн
500+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N25TM FDD6N25TM Виробник : onsemi FDD6N25-D.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.