
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.01 грн |
10+ | 102.37 грн |
100+ | 69.08 грн |
500+ | 57.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD6N50TM onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDD6N50TM
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FDD6N50TM | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
FDD6N50TM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |