FDD770N15A ON Semiconductor
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
165+ | 69.86 грн |
168+ | 68.64 грн |
204+ | 56.58 грн |
250+ | 54.08 грн |
500+ | 42.31 грн |
1000+ | 32.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD770N15A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDD770N15A за ціною від 28.81 грн до 93.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD770N15A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V |
на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD770N15A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 18A Power dissipation: 56.8W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD770N15A | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD770N15A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD770N15A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 18A Power dissipation: 56.8W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 442 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD770N15A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD770N15A Код товару: 100267 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FDD770N15A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDD770N15A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDD770N15A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V |
товар відсутній |