Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD770N15A
FDD770N15A

FDD770N15A

fdd770n15a-d.pdf
Код товару: 100267
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD770N15A за ціною від 30.93 грн до 140.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD770N15A FDD770N15A onsemi fdd770n15a-d.pdf Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.56 грн
10+58.50 грн
25+52.45 грн
100+43.45 грн
250+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A onsemi fdd770n15a-d.pdf Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.90 грн
10+76.18 грн
100+51.10 грн
500+37.85 грн
1000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A onsemi fdd770n15a-d.pdf MOSFETs 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+86.73 грн
100+50.00 грн
500+39.66 грн
1000+35.19 грн
2500+32.19 грн
5000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+80.56 грн
10+58.50 грн
25+52.45 грн
100+43.45 грн
250+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.90 грн
10+76.18 грн
100+51.10 грн
500+37.85 грн
1000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.94 грн
10+86.73 грн
100+50.00 грн
500+39.66 грн
1000+35.19 грн
2500+32.19 грн
5000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.