Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD770N15A

FDD770N15A

fdd770n15a-d.pdf
Код товару: 100267
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD770N15A за ціною від 32.00 грн до 124.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD770N15A FDD770N15A onsemi fdd770n15a-d.pdf Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A ON Semiconductor 3662442023354827fdd770n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.02 грн
211+67.15 грн
272+51.93 грн
274+49.71 грн
500+38.54 грн
1000+34.31 грн
3000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A ON Semiconductor 3662442023354827fdd770n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.38 грн
12+68.02 грн
25+67.15 грн
100+50.08 грн
250+46.03 грн
500+37.00 грн
1000+34.31 грн
3000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A onsemi fdd770n15a-d.pdf Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.35 грн
10+75.84 грн
100+50.87 грн
500+37.68 грн
1000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A onsemi fdd770n15a-d.pdf MOSFETs 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI 2572509.pdf Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A ONSEMI 2572509.pdf Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A 3662442023354827fdd770n15a.pdf
FDD770N15A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
208+68.02 грн
211+67.15 грн
272+51.93 грн
274+49.71 грн
500+38.54 грн
1000+34.31 грн
3000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A 3662442023354827fdd770n15a.pdf
FDD770N15A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+85.38 грн
12+68.02 грн
25+67.15 грн
100+50.08 грн
250+46.03 грн
500+37.00 грн
1000+34.31 грн
3000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.35 грн
10+75.84 грн
100+50.87 грн
500+37.68 грн
1000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A fdd770n15a-d.pdf
FDD770N15A
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A 2572509.pdf
FDD770N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A 2572509.pdf
FDD770N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.