Продукція > ONSEMI > FDD770N15A
FDD770N15A

FDD770N15A onsemi

fdd770n15a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD770N15A onsemi

Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDD770N15A за ціною від 29.89 грн до 428.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ONSEMI 2572509.pdf Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.63 грн
500+39.30 грн
1000+33.70 грн
5000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ON Semiconductor 3662442023354827fdd770n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+59.66 грн
211+58.90 грн
272+45.55 грн
274+43.60 грн
500+33.80 грн
1000+30.09 грн
3000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : onsemi / Fairchild FDD770N15A-D.pdf MOSFETs 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.16 грн
10+53.22 грн
100+37.27 грн
500+36.12 грн
1000+33.30 грн
2500+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ON Semiconductor 3662442023354827fdd770n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+80.23 грн
12+63.92 грн
25+63.11 грн
100+47.06 грн
250+43.26 грн
500+34.77 грн
1000+32.24 грн
3000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : onsemi fdd770n15a-d.pdf Description: MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V
на замовлення 4851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.48 грн
10+74.62 грн
100+50.74 грн
500+38.89 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ONSEMI 2572509.pdf Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.22 грн
11+78.90 грн
100+53.63 грн
500+39.30 грн
1000+33.70 грн
5000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+308.41 грн
10+61.96 грн
21+54.32 грн
25+54.22 грн
57+51.36 грн
100+49.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ONSEMI fdd770n15a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A
Код товару: 100267
Додати до обраних Обраний товар

fdd770n15a-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ON Semiconductor 3662442023354827fdd770n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD770N15A FDD770N15A Виробник : ON Semiconductor 3662442023354827fdd770n15a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.