FDD7N20TM ON Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD7N20TM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD7N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.58 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 43W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDD7N20TM за ціною від 20.67 грн до 92.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD7N20TM | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD7N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD7N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD7N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD7N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD7N20TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD7N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.58 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 43W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD7N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD7N20TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD7N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.58 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD7N20TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 10035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD7N20TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-CH MOSFET |
на замовлення 49380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD7N20TM | Виробник : ONSEMI |
FDD7N20TM SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDD7N20TM Код товару: 201272
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
FDD7N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDD7N20TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |