Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD7N25LZTM

FDD7N25LZTM

fdd7n25lz-d.pdf
Код товару: 194274
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD7N25LZTM за ціною від 19.89 грн до 91.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM onsemi fdd7n25lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.30 грн
5000+20.75 грн
7500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM ON-Semiconductor info-tfdd7n25lztm.pdf N-MOSFET 6.2A 250V 550mOhm FDD7N25LZTM TFDD7n25lztm
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+51.05 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM onsemi fdd7n25lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 8182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+53.70 грн
100+35.49 грн
500+25.97 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM onsemi fdd7n25lz-d.pdf MOSFETs 250V N-Channel MOSFET, UniFET
на замовлення 15282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+56.76 грн
100+32.65 грн
500+25.47 грн
1000+23.13 грн
2500+20.57 грн
5000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM onsemi / Fairchild fdd7n25lz-d.pdf MOSFETs 250V N-Channel MOSFET, UniFET
на замовлення 17852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+57.80 грн
100+33.69 грн
500+26.51 грн
1000+24.16 грн
2500+22.23 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM fdd7n25lz-d.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+23.30 грн
5000+20.75 грн
7500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM info-tfdd7n25lztm.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 6.2A 250V 550mOhm FDD7N25LZTM TFDD7n25lztm
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+51.05 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM fdd7n25lz-d.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 8182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.54 грн
10+53.70 грн
100+35.49 грн
500+25.97 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM fdd7n25lz-d.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: onsemi
MOSFETs 250V N-Channel MOSFET, UniFET
на замовлення 15282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.82 грн
10+56.76 грн
100+32.65 грн
500+25.47 грн
1000+23.13 грн
2500+20.57 грн
5000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM fdd7n25lz-d.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Channel MOSFET, UniFET
на замовлення 17852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.82 грн
10+57.80 грн
100+33.69 грн
500+26.51 грн
1000+24.16 грн
2500+22.23 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.