Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD7N25LZTM

FDD7N25LZTM

fdd7n25lz-d.pdf
Код товару: 194274
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD7N25LZTM за ціною від 19.76 грн до 130.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM onsemi fdd7n25lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.14 грн
5000+20.61 грн
7500+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM ON Semiconductor fdd7n25lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM ON Semiconductor fdd7n25lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM ON-Semiconductor info-tfdd7n25lztm.pdf N-MOSFET 6.2A 250V 550mOhm FDD7N25LZTM TFDD7n25lztm
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM onsemi fdd7n25lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
на замовлення 8182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.93 грн
10+53.33 грн
100+35.25 грн
500+25.79 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM onsemi fdd7n25lz-d.pdf MOSFETs 250V N-Channel MOSFET, UniFET
на замовлення 14228 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+130.54 грн
10+79.56 грн
100+45.49 грн
500+35.76 грн
1000+30.57 грн
2500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM ONSEMI 2859348.pdf Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM ONSEMI 2859348.pdf Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM fdd7n25lz-d.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.14 грн
5000+20.61 грн
7500+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM fdd7n25lz-d.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM fdd7n25lz-d.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM info-tfdd7n25lztm.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 6.2A 250V 550mOhm FDD7N25LZTM TFDD7n25lztm
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM fdd7n25lz-d.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
на замовлення 8182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.93 грн
10+53.33 грн
100+35.25 грн
500+25.79 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM fdd7n25lz-d.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: onsemi
MOSFETs 250V N-Channel MOSFET, UniFET
на замовлення 14228 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.54 грн
10+79.56 грн
100+45.49 грн
500+35.76 грн
1000+30.57 грн
2500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM 2859348.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD7N25LZTM 2859348.pdf
FDD7N25LZTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6.2 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.