Продукція > ONSEMI > FDD7N25LZTM
FDD7N25LZTM

FDD7N25LZTM onsemi

fdd7n25lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.79 грн
10+ 49.74 грн
100+ 34.42 грн
500+ 26.99 грн
1000+ 22.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD7N25LZTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD7N25LZTM за ціною від 20.91 грн до 65.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM Виробник : onsemi / Fairchild FDD7N25LZ_D-2312164.pdf MOSFET 250V N-Channel MOSFET, UniFET
на замовлення 27475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.03 грн
10+ 55.29 грн
100+ 33.3 грн
500+ 27.9 грн
1000+ 23.71 грн
2500+ 21.04 грн
5000+ 20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD7N25LZTM Виробник : ON-Semicoductor fdd7n25lz-d.pdf N-MOSFET 6.2A 250V 550mOhm FDD7N25LZTM TFDD7n25lztm
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDD7N25LZTM Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD7N25LZTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD7N25LZTM
Код товару: 194274 		fdd7n25lz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM Виробник : ON Semiconductor 3674810391210040fdd7n25lz.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM Виробник : ON Semiconductor 3674810391210040fdd7n25lz.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD7N25LZTM Виробник : ONSEMI fdd7n25lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.7A; 56W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM Виробник : onsemi fdd7n25lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
товар відсутній
FDD7N25LZTM Виробник : ONSEMI fdd7n25lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.7A; 56W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній