FDD7N60NZTM ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 202+ | 70.07 грн |
| 204+ | 69.43 грн |
| 223+ | 63.54 грн |
| 250+ | 58.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD7N60NZTM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD7N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 1.05 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDD7N60NZTM за ціною від 53.79 грн до 75.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD7N60NZTM | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDD7N60NZTM | onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel 600V 5.5A |
на замовлення 12403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD7N60NZTM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD7N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 1.05 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDD7N60NZTM |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 75.38 грн |
| 11+ | 70.07 грн |
| 25+ | 69.43 грн |
| 100+ | 61.27 грн |
| 250+ | 53.79 грн |
| FDD7N60NZTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel 600V 5.5A
MOSFET N-Channel 600V 5.5A
на замовлення 12403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDD7N60NZTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD7N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 1.05 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDD7N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 1.05 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




