FDD8424H ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 63.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8424H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 35W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDD8424H за ціною від 51.35 грн до 105.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD8424H | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD8424H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 35W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
FDD8424H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 35W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
FDD8424H (Dual N & P-Channel) Код товару: 165079
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
FDD8424H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDD8424H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH Si 40V 9A/6.5A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDD8424H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDD8424H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active |
товару немає в наявності |