
FDD8444 onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 42.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8444 onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 153W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDD8444 за ціною від 38.83 грн до 143.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V |
на замовлення 3013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 4585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FDD8444 Код товару: 163329
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FDD8444 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 89nC On-state resistance: 5.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 153W Drain current: 50A Case: DPAK Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
FDD8444 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 153W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 89nC On-state resistance: 5.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 153W Drain current: 50A Case: DPAK Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |