
FDD8444 Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
231+ | 95.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8444 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 153W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDD8444 за ціною від 72.54 грн до 200.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD8444 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
FDD8444 Код товару: 163329
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FDD8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
FDD8444 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |