Інші пропозиції FDD8444 за ціною від 36.99 грн до 127.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD8444 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AAVgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8444 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8444 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8444 | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDD8444 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 153W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V |
на замовлення 5238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDD8444 | onsemi |
MOSFETs LOW VOLTAGE |
на замовлення 3117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDD8444 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDD8444 | ONN |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDD8444 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 38.67 грн |
| 5000+ | 36.99 грн |
| FDD8444 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 52.69 грн |
| FDD8444 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 53.08 грн |
| FDD8444 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 180+ | 110.20 грн |
| FDD8444 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 25 V
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.01 грн |
| 10+ | 82.20 грн |
| 100+ | 55.56 грн |
| 500+ | 41.44 грн |
| 1000+ | 39.02 грн |
| FDD8444 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs LOW VOLTAGE
MOSFETs LOW VOLTAGE
на замовлення 3117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDD8444 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 145A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





