FDD8447L Fairchild
Код товару: 100848
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Fairchild
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1970/52
Монтаж: SMD
у наявності: 95 шт
- 59 шт - склад
- 36 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 1 шт
- 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 32.00 грн |
| 10+ | 28.80 грн |
| 100+ | 25.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8447L Fairchild
- Transistor
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:40V
- Continuous Drain Current, Id:15.2A
- On Resistance, Rds(on):7mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:1.9V
Інші пропозиції FDD8447L за ціною від 22.16 грн до 90.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD8447L | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD8447L | ON-Semiconductor |
N-Channel 40V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD8447L ON Semiconductor TFDD8447Lкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 394 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8447L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8447L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8447L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8447L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8447L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDD8447L | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
на замовлення 4865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD8447L | onsemi |
MOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 10113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8447L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 44W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm |
на замовлення 13395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDD8447L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 44W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm |
на замовлення 13395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDD8447L |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.16 грн |
| FDD8447L |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
N-Channel 40V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD8447L ON Semiconductor TFDD8447L
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel 40V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD8447L ON Semiconductor TFDD8447L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 35.99 грн |
| FDD8447L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 341+ | 41.62 грн |
| 345+ | 41.20 грн |
| 390+ | 36.43 грн |
| 398+ | 34.38 грн |
| 526+ | 24.06 грн |
| FDD8447L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.87 грн |
| 19+ | 41.62 грн |
| 25+ | 41.20 грн |
| 100+ | 35.13 грн |
| 250+ | 31.83 грн |
| 500+ | 23.10 грн |
| FDD8447L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 79.22 грн |
| 13+ | 60.68 грн |
| 100+ | 45.10 грн |
| 500+ | 35.35 грн |
| 676+ | 32.40 грн |
| FDD8447L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 178+ | 79.77 грн |
| 233+ | 61.09 грн |
| 313+ | 45.42 грн |
| 500+ | 35.59 грн |
| 676+ | 32.63 грн |
| FDD8447L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 82.33 грн |
| 7+ | 60.33 грн |
| 10+ | 52.68 грн |
| 50+ | 37.73 грн |
| 100+ | 32.82 грн |
| FDD8447L |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.87 грн |
| 10+ | 55.04 грн |
| 100+ | 36.29 грн |
| 500+ | 26.50 грн |
| 1000+ | 24.07 грн |
| FDD8447L |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
MOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 10113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDD8447L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD8447L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 13395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| AMS1117-3.3 Код товару: 87031
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Напруга входу Uin, В: 15 В
Напруга виходу Uout, В: 3,3 В
Струм виходу Iout, А: 1 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,1 В
Тип виходу: Фіксований
Монтаж: SMD
Корпус: SOT-223
Напруга входу Uin, В: 15 В
Напруга виходу Uout, В: 3,3 В
Струм виходу Iout, А: 1 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,1 В
Тип виходу: Фіксований
Монтаж: SMD
у наявності: 4448 шт
- 4201 шт - склад
- 197 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 5.00 грн |
| 100+ | 2.60 грн |
| 1000+ | 2.20 грн |
| SL44-E3/57T Код товару: 123347
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-214AB
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 4 А
Падіння напруги Vf, В: 0,35 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 150 А
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-214AB
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 4 А
Падіння напруги Vf, В: 0,35 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 150 А
у наявності: 377 шт
- 326 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 36 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.00 грн |
| Теплопровідний клей HY910 Halnziye [0,98 Вт/м·К, 5г] Код товару: 198776
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
Хімія > Теплопровідні матеріали
Опис: Теплопровідність 0,975 Вт/мК. Тепловий опір 0,246 °C·in²/W. Робоча температура 60...250°C. Колір білий. Для приклеювання радіаторів на мікросхемах та інших деталях, від яких потрібно відвести тепло, коли неможливо зафіксувати їх спеціальним кріпленням.
Призначення: Полегшує відведення тепла
Упаковка / Розмір: 5 г
Тип: Теплопровідний клей
Теплопровідність: 0,98 Вт/(м·К)
Опис: Теплопровідність 0,975 Вт/мК. Тепловий опір 0,246 °C·in²/W. Робоча температура 60...250°C. Колір білий. Для приклеювання радіаторів на мікросхемах та інших деталях, від яких потрібно відвести тепло, коли неможливо зафіксувати їх спеціальним кріпленням.
Призначення: Полегшує відведення тепла
Упаковка / Розмір: 5 г
Тип: Теплопровідний клей
Теплопровідність: 0,98 Вт/(м·К)
у наявності: 91 шт
- 74 шт - склад
- 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 6 шт
- 6 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 50.00 грн |
| Кнопка тактова 3,2х4,2х2.5mm SMD чорна Код товару: 203744
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
Вивідна/SMD: SMD
Розмір, мм: 3,2x4,2x2,5 мм
Опис: Мікро кнопка
Контакти: SPST-NO
Вивідна/SMD: SMD
Розмір, мм: 3,2x4,2x2,5 мм
Опис: Мікро кнопка
Контакти: SPST-NO
у наявності: 56 шт
- 19 шт - склад
- 37 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.35 грн |
| SMAJ36A Код товару: 940
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMA (DO-214AC)
Пікова потужність, P, Вт: 400 Вт
Напруга пробою, Vbr: 40 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 36 В
Струм витоку, Irm: 1 мкА
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMA (DO-214AC)
Пікова потужність, P, Вт: 400 Вт
Напруга пробою, Vbr: 40 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 36 В
Струм витоку, Irm: 1 мкА
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
у наявності: 1254 шт
- 714 шт - склад
- 58 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 343 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 133 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 160 шт
- 160 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.90 грн |
| 100+ | 3.10 грн |
| 1000+ | 2.60 грн |










![Теплопровідний клей HY910 Halnziye [0,98 Вт/м·К, 5г] Теплопровідний клей HY910 Halnziye [0,98 Вт/м·К, 5г]](/img/tkhy910halnziye098-5.jpg)


