Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDD8451
FDD8451

FDD8451 Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
766+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8451 Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції FDD8451 за ціною від 28.86 грн до 114.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD8451 FDD8451 ON-Semiconductor info-tfdd8451.pdf N-Channel 40V 9A (Ta), 28A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252) FDD8451 ON Semiconductor TFDD8451
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 FDD8451 onsemi / Fairchild FDD8451_D-2312435.pdf MOSFET 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.51 грн
10+63.37 грн
100+42.91 грн
500+36.37 грн
1000+29.62 грн
2500+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 FDD8451 ONSEMI 2304015.pdf Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 7378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.92 грн
10+84.38 грн
100+60.51 грн
500+48.80 грн
1000+33.89 грн
5000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 info-tfdd8451.pdf
FDD8451
Виробник: ON-Semiconductor
N-Channel 40V 9A (Ta), 28A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252) FDD8451 ON Semiconductor TFDD8451
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 FDD8451_D-2312435.pdf
FDD8451
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+78.51 грн
10+63.37 грн
100+42.91 грн
500+36.37 грн
1000+29.62 грн
2500+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 2304015.pdf
FDD8451
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 7378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+114.92 грн
10+84.38 грн
100+60.51 грн
500+48.80 грн
1000+33.89 грн
5000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.