Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDD8451
FDD8451

FDD8451 Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
766+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 766
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8451 Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції FDD8451 за ціною від 27.48 грн до 97.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD8451 FDD8451 Виробник : ONSEMI 2304015.pdf Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 9248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.10 грн
14+63.11 грн
100+50.89 грн
500+38.28 грн
1000+28.28 грн
5000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 FDD8451 Виробник : onsemi / Fairchild FDD8451_D-2312435.pdf MOSFET 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.19 грн
10+69.56 грн
100+47.11 грн
500+39.92 грн
1000+32.51 грн
2500+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 Виробник : ON-Semicoductor FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf N-Channel 40V 9A (Ta), 28A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252) FDD8451 ON Semiconductor TFDD8451
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365550-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdd8451-d.pdf FDD8451 SMD N channel transistors
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.72 грн
24+48.20 грн
64+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 FDD8451 Виробник : ON Semiconductor fdd8451cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 FDD8451 Виробник : onsemi fdd8451-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 9A/28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 FDD8451 Виробник : onsemi fdd8451-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 9A/28A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.