FDD8453LZ

FDD8453LZ ONSEMI


ONSM-S-A0003591085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8453LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0058 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+54.36 грн
1000+50.10 грн
5000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8453LZ ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD8453LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0058 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDD8453LZ за ціною від 49.89 грн до 161.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD8453LZ FDD8453LZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003591085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8453LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0058 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.43 грн
10+97.15 грн
100+68.83 грн
500+54.36 грн
1000+50.10 грн
5000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ FDD8453LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDD8453LZ_D-2312480.pdf MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
на замовлення 39900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.00 грн
10+106.34 грн
100+71.70 грн
2500+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ FDD8453LZ Виробник : onsemi fdd8453lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3515 pF @ 20 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.16 грн
10+99.61 грн
100+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ FDD8453LZ Виробник : ON Semiconductor 3667952546697593fdd8453lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 16.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ FDD8453LZ Виробник : onsemi fdd8453lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3515 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.