Продукція > ONSEMI > FDD8453LZ
FDD8453LZ

FDD8453LZ ONSEMI

fdd8453lz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8453LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 9493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+59.18 грн
1000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8453LZ ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD8453LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 65W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm.

Інші пропозиції FDD8453LZ за ціною від 50.89 грн до 197.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD8453LZ FDD8453LZ onsemi / Fairchild FDD8453LZ_D-2312480.pdf MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
на замовлення 39900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.81 грн
10+102.13 грн
100+68.86 грн
2500+68.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ FDD8453LZ onsemi fdd8453lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3515 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.96 грн
10+99.49 грн
100+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ FDD8453LZ ONSEMI fdd8453lz-d.pdf Description: ONSEMI - FDD8453LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 9493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.35 грн
50+124.99 грн
100+83.87 грн
500+59.18 грн
1000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ FDD8453LZ_D-2312480.pdf
FDD8453LZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
на замовлення 39900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.81 грн
10+102.13 грн
100+68.86 грн
2500+68.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ fdd8453lz-d.pdf
FDD8453LZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3515 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+160.96 грн
10+99.49 грн
100+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8453LZ fdd8453lz-d.pdf
FDD8453LZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8453LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 9493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+197.35 грн
50+124.99 грн
100+83.87 грн
500+59.18 грн
1000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.