Продукція > ONSEMI > FDD850N10L
FDD850N10L

FDD850N10L onsemi

fdd850n10l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.72 грн
5000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD850N10L onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD850N10L за ціною від 30.02 грн до 100.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.28 грн
5000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.86 грн
5000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.88 грн
7+57.48 грн
20+45.98 грн
55+43.68 грн
500+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : onsemi fdd850n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 8497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.33 грн
10+60.08 грн
100+45.93 грн
500+36.85 грн
1000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.05 грн
5+71.62 грн
20+55.18 грн
55+52.42 грн
500+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : onsemi / Fairchild FDD850N10L_D-2312289.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.42 грн
10+75.72 грн
100+48.04 грн
500+37.89 грн
1000+33.84 грн
2500+31.05 грн
5000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.