Продукція > ONSEMI > FDD850N10L
FDD850N10L

FDD850N10L onsemi

fdd850n10l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+31.86 грн
5000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD850N10L onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD850N10L за ціною від 28.59 грн до 93.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD850N10L FDD850N10L onsemi fdd850n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 8497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+58.50 грн
100+44.72 грн
500+35.89 грн
1000+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L FDD850N10L ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.08 грн
6+69.98 грн
10+62.76 грн
25+53.98 грн
100+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L FDD850N10L onsemi / Fairchild FDD850N10L-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.22 грн
10+64.00 грн
100+41.67 грн
500+33.96 грн
1000+31.00 грн
2500+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
FDD850N10L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 8497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+86.01 грн
10+58.50 грн
100+44.72 грн
500+35.89 грн
1000+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L fdd850n10l-d.pdf
FDD850N10L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+91.08 грн
6+69.98 грн
10+62.76 грн
25+53.98 грн
100+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD850N10L FDD850N10L-D.pdf
FDD850N10L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.22 грн
10+64.00 грн
100+41.67 грн
500+33.96 грн
1000+31.00 грн
2500+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.