Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD850N10L
FDD850N10L

FDD850N10L ON Semiconductor

fdd850n10l.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD850N10L ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD850N10L за ціною від 28.1 грн до 87.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : onsemi fdd850n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31 грн
5000+ 28.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+33.17 грн
5000+ 31.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.65 грн
5000+ 34.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+73.21 грн
7+ 52.03 грн
20+ 40.23 грн
55+ 38.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : onsemi fdd850n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
на замовлення 10039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.92 грн
10+ 59.03 грн
100+ 45.92 грн
500+ 36.53 грн
1000+ 29.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : onsemi / Fairchild FDD850N10L_D-2312289.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.58 грн
10+ 69.84 грн
100+ 47.35 грн
500+ 39.42 грн
1000+ 31.17 грн
2500+ 29.17 грн
5000+ 28.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.85 грн
5+ 64.83 грн
20+ 48.28 грн
55+ 45.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD850N10L FDD850N10L Виробник : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній