FDD86102 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 53.03 грн |
| 5000+ | 50.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86102 onsemi
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDD86102 за ціною від 48.22 грн до 157.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD86102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD86102 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 11304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD86102 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86102 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V |
на замовлення 62546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD86102 | Виробник : ONN |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
FDD86102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDD86102 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 75A; 62W; DPAK Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 13.4nC On-state resistance: 24mΩ Power dissipation: 62W Drain current: 36A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 75A Drain-source voltage: 100V |
товару немає в наявності |