Продукція > ONSEMI > FDD86102
FDD86102

FDD86102 onsemi

fdd86102-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.72 грн
5000+53.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86102 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD86102 за ціною від 50.92 грн до 165.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor 3654811580123811fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+67.10 грн
187+66.43 грн
202+61.38 грн
250+58.59 грн
500+53.64 грн
1000+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+71.90 грн
25+71.18 грн
100+63.41 грн
250+58.13 грн
500+55.18 грн
1000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
163+76.08 грн
170+73.11 грн
171+72.45 грн
200+64.77 грн
1000+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+98.07 грн
500+88.26 грн
1000+81.40 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : onsemi / Fairchild fdd86102-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 11304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.66 грн
10+100.12 грн
100+65.60 грн
500+55.82 грн
1000+53.61 грн
2500+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ONSEMI 2304877.pdf Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.49 грн
10+111.37 грн
100+82.16 грн
500+63.80 грн
1000+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : onsemi fdd86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 62546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.22 грн
10+109.54 грн
100+76.43 грн
500+59.97 грн
1000+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.