Продукція > ONSEMI > FDD86102
FDD86102

FDD86102 onsemi

fdd86102-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.44 грн
5000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86102 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD86102 за ціною від 52.49 грн до 170.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor 3654811580123811fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+69.17 грн
187+68.49 грн
202+63.27 грн
250+60.40 грн
500+55.30 грн
1000+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+74.12 грн
25+73.38 грн
100+65.37 грн
250+59.92 грн
500+56.88 грн
1000+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
163+78.43 грн
170+75.37 грн
171+74.69 грн
200+66.77 грн
1000+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+101.10 грн
500+90.98 грн
1000+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : onsemi / Fairchild fdd86102-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 11304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.04 грн
10+103.21 грн
100+67.63 грн
500+57.55 грн
1000+55.27 грн
2500+54.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ONSEMI 2304877.pdf Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.38 грн
10+114.81 грн
100+84.69 грн
500+65.77 грн
1000+57.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : onsemi fdd86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 62546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.32 грн
10+112.92 грн
100+78.79 грн
500+61.82 грн
1000+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.