Продукція > ONSEMI > FDD86102
FDD86102

FDD86102 onsemi

fdd86102-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+53.48 грн
5000+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86102 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 62W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

Інші пропозиції FDD86102 за ціною від 51.77 грн до 158.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+117.86 грн
500+106.08 грн
1000+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.90 грн
10+104.47 грн
25+103.44 грн
100+84.67 грн
250+77.61 грн
500+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.90 грн
136+104.47 грн
137+103.44 грн
162+84.67 грн
250+77.61 грн
500+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.16 грн
10+111.40 грн
100+89.27 грн
500+77.77 грн
1000+70.53 грн
2500+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.16 грн
127+111.40 грн
159+89.27 грн
500+77.77 грн
1000+70.53 грн
2500+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 onsemi fdd86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 62546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.59 грн
10+105.14 грн
100+73.36 грн
500+57.56 грн
1000+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 onsemi fdd86102-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 18255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 ONSEMI 2304877.pdf Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 ONSEMI 2304877.pdf Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 ONN fdd86102-d.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 fdd86102-d.pdf
FDD86102
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 fdd86102-d.pdf
FDD86102
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 fdd86102-d.pdf
FDD86102
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+117.86 грн
500+106.08 грн
1000+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 fdd86102-d.pdf
FDD86102
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+124.90 грн
10+104.47 грн
25+103.44 грн
100+84.67 грн
250+77.61 грн
500+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 fdd86102-d.pdf
FDD86102
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+124.90 грн
136+104.47 грн
137+103.44 грн
162+84.67 грн
250+77.61 грн
500+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 fdd86102-d.pdf
FDD86102
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.16 грн
10+111.40 грн
100+89.27 грн
500+77.77 грн
1000+70.53 грн
2500+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 fdd86102-d.pdf
FDD86102
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+142.16 грн
127+111.40 грн
159+89.27 грн
500+77.77 грн
1000+70.53 грн
2500+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 fdd86102-d.pdf
FDD86102
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 62546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.59 грн
10+105.14 грн
100+73.36 грн
500+57.56 грн
1000+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 fdd86102-d.pdf
FDD86102
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 18255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 2304877.pdf
FDD86102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 2304877.pdf
FDD86102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 fdd86102-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.