Продукція > ONSEMI > FDD86102
FDD86102

FDD86102 onsemi

fdd86102-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.89 грн
5000+50.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86102 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDD86102 за ціною від 48.09 грн до 156.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86102 FDD86102 Виробник : onsemi / Fairchild fdd86102-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 11304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.29 грн
10+91.37 грн
100+59.87 грн
500+50.95 грн
1000+48.93 грн
2500+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 FDD86102 Виробник : onsemi fdd86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 62546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.82 грн
10+103.97 грн
100+72.55 грн
500+56.92 грн
1000+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 Виробник : ONN fdd86102-d.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102 Виробник : ONSEMI fdd86102-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 75A; 62W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.4nC
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 62W
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.