FDD86102LZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 45.46 грн |
| 5000+ | 43.28 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86102LZ onsemi
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 54W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm.
Інші пропозиції FDD86102LZ за ціною від 50.32 грн до 189.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD86102LZ | Fairchild |
N-MOSFET 2A/35A 100V FDD86102LZ TFDD86102lz кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 155650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86102LZ | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK Mounting: SMD Power dissipation: 54W Gate charge: 26nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 35A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DPAK On-state resistance: 40mΩ |
на замовлення 1134 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V |
на замовлення 9723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86102LZ | onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 13752 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
FDD86102LZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 54W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm |
на замовлення 3485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 54W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm |
на замовлення 3735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDD86102LZ |
|
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 60.75 грн |
| FDD86102LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 61.62 грн |
| FDD86102LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 61.93 грн |
| FDD86102LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 360+ | 98.89 грн |
| 500+ | 89.00 грн |
| 1000+ | 82.07 грн |
| 10000+ | 70.56 грн |
| FDD86102LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 155650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 360+ | 98.89 грн |
| 500+ | 89.00 грн |
| 1000+ | 82.07 грн |
| 10000+ | 70.56 грн |
| 100000+ | 54.74 грн |
| FDD86102LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 129.68 грн |
| 10+ | 106.31 грн |
| 100+ | 84.21 грн |
| 500+ | 67.59 грн |
| 1000+ | 58.00 грн |
| FDD86102LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 110+ | 129.68 грн |
| 134+ | 106.31 грн |
| 170+ | 84.21 грн |
| 500+ | 67.59 грн |
| 1000+ | 58.00 грн |
| FDD86102LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 96+ | 149.64 грн |
| 250+ | 74.04 грн |
| 500+ | 72.59 грн |
| 1000+ | 68.59 грн |
| 2500+ | 62.92 грн |
| FDD86102LZ |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 54W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 40mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 54W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 40mΩ
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 152.87 грн |
| 5+ | 112.24 грн |
| 10+ | 99.03 грн |
| 50+ | 72.62 грн |
| 75+ | 67.67 грн |
| 100+ | 63.55 грн |
| 250+ | 54.47 грн |
| 500+ | 53.64 грн |
| FDD86102LZ |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
на замовлення 9723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 172.00 грн |
| 10+ | 106.21 грн |
| 50+ | 80.69 грн |
| 100+ | 67.99 грн |
| 500+ | 54.41 грн |
| FDD86102LZ |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13752 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 189.41 грн |
| 10+ | 120.27 грн |
| 100+ | 71.08 грн |
| 500+ | 60.04 грн |
| 1000+ | 53.24 грн |
| 2500+ | 50.32 грн |
| FDD86102LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD86102LZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD86102LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD86102LZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)