Продукція > ONSEMI > FDD86102LZ
FDD86102LZ

FDD86102LZ onsemi

fdd86102lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.89 грн
5000+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86102LZ onsemi

Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDD86102LZ за ціною від 44.78 грн до 156.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.88 грн
5000+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.73 грн
5000+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+58.60 грн
25+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
212+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+60.13 грн
25+59.22 грн
100+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ONSEMI 2304362.pdf Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.75 грн
500+56.55 грн
1000+49.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
378+82.45 грн
500+74.20 грн
1000+68.44 грн
10000+58.83 грн
100000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 378
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
378+82.45 грн
500+74.20 грн
1000+68.44 грн
10000+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 378
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8D9F895F9E28&compId=FDD86102LZ.pdf?ci_sign=8dffec91b5777d250e9d9f9bc0b63e013ad0fe4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.85 грн
6+70.48 грн
10+65.73 грн
50+53.06 грн
100+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8D9F895F9E28&compId=FDD86102LZ.pdf?ci_sign=8dffec91b5777d250e9d9f9bc0b63e013ad0fe4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.42 грн
5+87.83 грн
10+78.88 грн
50+63.67 грн
100+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDD86102LZ-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.76 грн
10+88.31 грн
100+59.00 грн
500+48.28 грн
1000+46.30 грн
2500+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ONSEMI 2304362.pdf Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.52 грн
50+95.52 грн
100+74.63 грн
500+58.21 грн
1000+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : onsemi fdd86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
на замовлення 15574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.26 грн
10+96.14 грн
100+65.30 грн
500+48.88 грн
1000+46.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ Виробник : Fairchild fdd86102lz-d.pdf N-MOSFET 2A/35A 100V FDD86102LZ TFDD86102lz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor 4264129041612880fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.