Продукція > ONSEMI > FDD86102LZ
FDD86102LZ

FDD86102LZ onsemi

fdd86102lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.31 грн
5000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86102LZ onsemi

Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDD86102LZ за ціною від 43.61 грн до 132.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.11 грн
5000+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.76 грн
5000+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+56.40 грн
218+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+57.97 грн
13+57.08 грн
25+56.20 грн
100+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+58.81 грн
25+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ONSEMI 2304362.pdf Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.71 грн
500+56.51 грн
1000+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+84.86 грн
1000+81.00 грн
2500+70.09 грн
5000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
342+89.10 грн
500+80.19 грн
1000+73.95 грн
10000+63.57 грн
100000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 342
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
342+89.10 грн
500+80.19 грн
1000+73.95 грн
10000+63.57 грн
Мінімальне замовлення: 342
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : onsemi fdd86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
на замовлення 15962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.67 грн
10+81.44 грн
100+62.47 грн
500+48.20 грн
1000+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8D9F895F9E28&compId=FDD86102LZ.pdf?ci_sign=8dffec91b5777d250e9d9f9bc0b63e013ad0fe4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.81 грн
5+89.44 грн
10+83.10 грн
14+66.48 грн
39+62.53 грн
100+60.94 грн
500+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild fdd86102lz-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.47 грн
10+86.42 грн
100+58.58 грн
500+49.24 грн
1000+48.40 грн
10000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ONSEMI fdd86102lz-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.62 грн
50+90.35 грн
100+72.02 грн
500+55.09 грн
1000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE8D9F895F9E28&compId=FDD86102LZ.pdf?ci_sign=8dffec91b5777d250e9d9f9bc0b63e013ad0fe4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.97 грн
5+111.45 грн
10+99.73 грн
14+79.78 грн
39+75.03 грн
100+73.13 грн
500+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ Виробник : Fairchild fdd86102lz-d.pdf N-MOSFET 2A/35A 100V FDD86102LZ TFDD86102lz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor 4264129041612880fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86102LZ FDD86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdd86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.