FDD86102LZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 49.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86102LZ onsemi
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDD86102LZ за ціною від 43.07 грн до 133.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD86102LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD86102LZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 13962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 50 V |
на замовлення 4281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FDD86102LZ | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 2A/35A 100V FDD86102LZ TFDD86102lz кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD86102LZ | Виробник : ONSEMI |
FDD86102LZ SMD N channel transistors |
на замовлення 670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FDD86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDD86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |