Продукція > ONSEMI > FDD86110
FDD86110

FDD86110 onsemi

fdd86110-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86110 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDD86110 за ціною від 75.77 грн до 265.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD86110 FDD86110 ONSEMI 2304542.pdf Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.85 грн
500+111.18 грн
1000+95.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 onsemi / Fairchild FDD86110-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.36 грн
10+153.67 грн
100+93.68 грн
500+81.28 грн
1000+80.59 грн
2500+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 ON Semiconductor fdd86110-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.40 грн
500+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 ON Semiconductor fdd86110-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.44 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 onsemi fdd86110-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.72 грн
10+161.11 грн
100+112.54 грн
500+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 ON Semiconductor fdd86110-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+264.01 грн
100+193.02 грн
250+191.91 грн
500+149.76 грн
1000+137.67 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 onsemi fdd86110-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.19 грн
10+171.10 грн
100+109.52 грн
500+91.61 грн
1000+85.41 грн
2500+79.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 ONSEMI fdd86110-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+265.19 грн
50+173.58 грн
100+127.77 грн
500+99.25 грн
1000+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 ON Semiconductor fdd86110-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 2304542.pdf
FDD86110
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+143.85 грн
500+111.18 грн
1000+95.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110-D.pdf
FDD86110
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+170.36 грн
10+153.67 грн
100+93.68 грн
500+81.28 грн
1000+80.59 грн
2500+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 fdd86110-d.pdf
FDD86110
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
189+187.40 грн
500+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 fdd86110-d.pdf
FDD86110
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
65+219.44 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 fdd86110-d.pdf
FDD86110
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+255.72 грн
10+161.11 грн
100+112.54 грн
500+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 fdd86110-d.pdf
FDD86110
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
54+264.01 грн
100+193.02 грн
250+191.91 грн
500+149.76 грн
1000+137.67 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 fdd86110-d.pdf
FDD86110
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+265.19 грн
10+171.10 грн
100+109.52 грн
500+91.61 грн
1000+85.41 грн
2500+79.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 fdd86110-d.pdf
FDD86110
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+265.19 грн
50+173.58 грн
100+127.77 грн
500+99.25 грн
1000+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 fdd86110-d.pdf
FDD86110
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.