Продукція > ONSEMI > FDD86110
FDD86110

FDD86110 onsemi

fdd86110-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+82.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86110 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDD86110 за ціною від 79.26 грн до 232.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86110 FDD86110 Виробник : ON Semiconductor fdd86110-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 Виробник : ON Semiconductor 3650301865141809fdd86110.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+90.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 Виробник : ON Semiconductor fdd86110-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+93.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 Виробник : ONSEMI 2304542.pdf Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+124.62 грн
500+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 Виробник : ON Semiconductor fdd86110-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+156.17 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86110_D-2312481.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.70 грн
10+135.37 грн
100+94.17 грн
500+84.60 грн
1000+79.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 Виробник : onsemi fdd86110-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 50 V
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.58 грн
10+154.88 грн
100+107.94 грн
500+82.47 грн
1000+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 Виробник : ONSEMI 2304542.pdf Description: ONSEMI - FDD86110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+232.73 грн
50+160.11 грн
100+124.62 грн
500+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 Виробник : ON Semiconductor fdd86110-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 FDD86110 Виробник : ON Semiconductor fdd86110-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 Виробник : ONSEMI fdd86110-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 127W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86110 Виробник : ONSEMI fdd86110-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 127W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 127W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.