Продукція > ONSEMI > FDD86250-F085
FDD86250-F085

FDD86250-F085 onsemi

fdd86250_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86250-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD86250-F085 за ціною від 63.12 грн до 215.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86250-F085 FDD86250-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.53 грн
5000+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+75.57 грн
5000+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+79.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 Виробник : ONSEMI fdd86250_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.93 грн
500+74.48 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
125+99.51 грн
138+90.25 грн
139+90.05 грн
155+77.51 грн
250+71.49 грн
500+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+106.62 грн
10+96.69 грн
25+96.49 грн
100+83.04 грн
250+76.60 грн
500+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 Виробник : ONSEMI fdd86250_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.72 грн
10+135.86 грн
100+100.15 грн
500+74.80 грн
1000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 Виробник : onsemi FDD86250_F085-D.PDF MOSFETs NMOS DPAK 150V 22 MOHM
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.92 грн
10+134.81 грн
100+86.17 грн
500+74.76 грн
1000+70.10 грн
2500+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 Виробник : onsemi fdd86250_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.82 грн
10+135.05 грн
100+93.28 грн
500+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 Виробник : ONSEMI fdd86250_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 50A; 160W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+93.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.