Продукція > ONSEMI > FDD86250-F085
FDD86250-F085

FDD86250-F085 onsemi

FDD86250_F085-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86250-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 160W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm.

Інші пропозиції FDD86250-F085 за ціною від 73.13 грн до 262.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.07 грн
5000+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.07 грн
5000+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.21 грн
10+106.29 грн
25+106.07 грн
100+91.29 грн
250+84.21 грн
500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+117.21 грн
138+106.29 грн
139+106.07 грн
155+91.29 грн
250+84.21 грн
500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 onsemi FDD86250_F085-D.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.56 грн
10+140.44 грн
50+107.77 грн
100+91.24 грн
500+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 onsemi FDD86250_F085-D.PDF MOSFETs NMOS DPAK 150V 22 MOHM
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+262.45 грн
10+167.85 грн
100+100.82 грн
500+84.26 грн
1000+78.25 грн
2500+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ONSEMI 2620016.pdf Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ONSEMI 2620016.pdf Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+83.07 грн
5000+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+83.07 грн
5000+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+93.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+93.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+117.21 грн
10+106.29 грн
25+106.07 грн
100+91.29 грн
250+84.21 грн
500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+117.21 грн
138+106.29 грн
139+106.07 грн
155+91.29 грн
250+84.21 грн
500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250_F085-D.PDF
FDD86250-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.56 грн
10+140.44 грн
50+107.77 грн
100+91.24 грн
500+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250_F085-D.PDF
FDD86250-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs NMOS DPAK 150V 22 MOHM
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.45 грн
10+167.85 грн
100+100.82 грн
500+84.26 грн
1000+78.25 грн
2500+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 2620016.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 2620016.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.