Продукція > ONSEMI > FDD86250-F085
FDD86250-F085

FDD86250-F085 onsemi

fdd86250_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+60.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86250-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDD86250-F085 за ціною від 67.41 грн до 199.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.39 грн
5000+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.39 грн
5000+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.43 грн
10+102.86 грн
25+102.65 грн
100+88.35 грн
250+81.49 грн
500+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.43 грн
138+102.86 грн
139+102.65 грн
155+88.35 грн
250+81.49 грн
500+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 onsemi fdd86250_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+124.89 грн
100+86.27 грн
500+67.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 onsemi FDD86250_F085-D.PDF MOSFETs NMOS DPAK 150V 22 MOHM
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ONSEMI fdd86250_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250-F085 ONSEMI fdd86250_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 ON Semiconductor fdd86250_f085-d.pdf
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+80.39 грн
5000+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+80.39 грн
5000+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+90.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+90.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+113.43 грн
10+102.86 грн
25+102.65 грн
100+88.35 грн
250+81.49 грн
500+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+113.43 грн
138+102.86 грн
139+102.65 грн
155+88.35 грн
250+81.49 грн
500+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.59 грн
10+124.89 грн
100+86.27 грн
500+67.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 FDD86250_F085-D.PDF
FDD86250-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs NMOS DPAK 150V 22 MOHM
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
FDD86250-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250-F085 fdd86250_f085-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.