Продукція > ONSEMI > FDD86250
FDD86250

FDD86250 onsemi

fdd86250-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86250 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, Verlustleistung: 132W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції FDD86250 за ціною від 36.76 грн до 121.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD86250 FDD86250 onsemi fdd86250-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.81 грн
10+78.72 грн
100+56.50 грн
500+39.50 грн
1000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 164A
Drain current: 27A
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 132W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.43 грн
5+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 onsemi fdd86250-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 25067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 onsemi / Fairchild FDD86250-D.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 28165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 ONSEMI 2304492.pdf Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 6057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 ONSEMI fdd86250-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 6057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 fdd86250-d.pdf
FDD86250
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.81 грн
10+78.72 грн
100+56.50 грн
500+39.50 грн
1000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 fdd86250-d.pdf
FDD86250
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 164A
Drain current: 27A
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 132W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.43 грн
5+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 fdd86250-d.pdf
FDD86250
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 25067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250-D.pdf
FDD86250
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 28165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 2304492.pdf
FDD86250
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 6057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 fdd86250-d.pdf
FDD86250
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 132W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 6057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.