Продукція > ONSEMI > FDD86250
FDD86250

FDD86250 onsemi

fdd86250-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86250 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD86250 за ціною від 39.84 грн до 166.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+79.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+87.88 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ONSEMI 2304492.pdf Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.93 грн
500+86.53 грн
1000+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : onsemi fdd86250-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.09 грн
10+85.32 грн
100+61.22 грн
500+42.81 грн
1000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86250-D.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 28165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.89 грн
10+93.74 грн
100+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ONSEMI fdd86250-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.37 грн
50+101.02 грн
100+94.06 грн
500+80.87 грн
1000+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 Виробник : ONSEMI fdd86250-d.pdf FDD86250 SMD N channel transistors
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.16 грн
10+117.42 грн
27+110.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.