Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD86250
FDD86250

FDD86250 ON Semiconductor

fdd86250-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86250 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0184 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0184ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD86250 за ціною від 62.53 грн до 190.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+91.71 грн
10+85.73 грн
25+84.88 грн
100+75.80 грн
250+69.51 грн
500+65.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ONSEMI 2304492.pdf Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0184 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0184ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.08 грн
500+75.10 грн
1000+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 164A
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.87 грн
10+95.03 грн
27+89.66 грн
500+88.89 грн
1000+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+138.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ONSEMI 2304492.pdf Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0184 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0184ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.15 грн
10+116.37 грн
100+94.08 грн
500+75.10 грн
1000+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ONSEMI fdd86250-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 164A
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.44 грн
10+118.42 грн
27+107.59 грн
500+106.67 грн
1000+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : onsemi / Fairchild fdd86250-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 34518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.50 грн
10+118.44 грн
100+83.13 грн
250+82.40 грн
500+74.30 грн
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : onsemi fdd86250-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.99 грн
10+125.53 грн
100+90.19 грн
500+69.98 грн
1000+65.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : ON Semiconductor fdd86250-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86250 FDD86250 Виробник : onsemi fdd86250-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.