FDD86250 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 58.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86250 onsemi
Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDD86250 за ціною від 37.21 грн до 150.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD86250 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 7909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD86250 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD86250 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V |
на замовлення 3381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD86250 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 28165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD86250 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Pulsed drain current: 164A Drain current: 27A Gate charge: 33nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 132W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
на замовлення 2184 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD86250 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 27391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD86250 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 7527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD86250 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDD86250 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |