FDD86252

FDD86252 onsemi


fdd86252-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.46 грн
5000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86252 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDD86252 за ціною від 35.00 грн до 152.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+52.90 грн
247+52.37 грн
250+51.67 грн
254+49.14 грн
500+44.88 грн
1000+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86252-D.pdf MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
на замовлення 35553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.70 грн
10+48.99 грн
100+38.35 грн
500+37.51 грн
1000+37.16 грн
2500+35.35 грн
5000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+60.45 грн
14+56.68 грн
25+56.12 грн
100+53.38 грн
250+48.75 грн
500+46.16 грн
1000+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ONSEMI fdd86252-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.43 грн
500+48.87 грн
1000+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
625+77.34 грн
1250+73.96 грн
1875+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 625
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 103mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.09 грн
6+70.50 грн
10+62.94 грн
50+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252
Код товару: 154884
Додати до обраних Обраний товар

fdd86252-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : onsemi fdd86252-d.pdf MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
на замовлення 33953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.00 грн
10+64.79 грн
100+43.09 грн
500+36.81 грн
1000+35.56 грн
2500+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ONSEMI fdd86252-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.40 грн
50+101.68 грн
100+74.43 грн
500+48.87 грн
1000+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : onsemi fdd86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 46986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.17 грн
10+93.36 грн
100+63.23 грн
500+47.23 грн
1000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 Виробник : ON-Semiconductor fdd86252-d.pdf N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD86252 ON Semiconductor TFDD86252
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+65.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.