
FDD86252 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 42.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86252 onsemi
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDD86252 за ціною від 34.26 грн до 121.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 100629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 103mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDD86252 Код товару: 154884
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 103mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V |
на замовлення 58977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 100629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 39970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDD86252 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDD86252 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |