Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDD86252

FDD86252

FDD86252-D.pdf
Код товару: 154884
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDD86252 за ціною від 38.92 грн до 159.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD86252 FDD86252 onsemi FDD86252-D.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.84 грн
5000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+57.84 грн
247+57.27 грн
250+56.50 грн
254+53.73 грн
500+49.07 грн
1000+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.69 грн
14+57.84 грн
25+57.27 грн
100+54.48 грн
250+49.75 грн
500+47.11 грн
1000+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 ON-Semiconductor info-tfdd86252.pdf N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD86252 ON Semiconductor TFDD86252
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+84.56 грн
1250+80.87 грн
1875+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 ONSEMI FDD86252-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 103mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.82 грн
6+70.29 грн
10+62.76 грн
50+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 onsemi FDD86252-D.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 31741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.54 грн
10+98.36 грн
100+66.75 грн
500+49.93 грн
1000+45.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 onsemi / Fairchild FDD86252-D.pdf MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
на замовлення 35553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 onsemi FDD86252-D.pdf MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
на замовлення 23898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 ONSEMI 2304363.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 87900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 ONSEMI 2304363.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 87900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252-D.pdf
FDD86252
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.84 грн
5000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
244+57.84 грн
247+57.27 грн
250+56.50 грн
254+53.73 грн
500+49.07 грн
1000+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.69 грн
14+57.84 грн
25+57.27 грн
100+54.48 грн
250+49.75 грн
500+47.11 грн
1000+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 info-tfdd86252.pdf
FDD86252
Виробник: ON-Semiconductor
N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD86252 ON Semiconductor TFDD86252
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 fdd86252-d.pdf
FDD86252
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
625+84.56 грн
1250+80.87 грн
1875+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252-D.pdf
FDD86252
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
On-state resistance: 103mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.82 грн
6+70.29 грн
10+62.76 грн
50+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252-D.pdf
FDD86252
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 31741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.54 грн
10+98.36 грн
100+66.75 грн
500+49.93 грн
1000+45.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252-D.pdf
FDD86252
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
на замовлення 35553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252-D.pdf
FDD86252
Виробник: onsemi
MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
на замовлення 23898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 2304363.pdf
FDD86252
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 87900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 2304363.pdf
FDD86252
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 87900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.