Продукція > ONSEMI > FDD86252
FDD86252

FDD86252 onsemi

fdd86252-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.51 грн
5000+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86252 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD86252 за ціною від 40.18 грн до 103.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+51.94 грн
247+51.42 грн
250+50.73 грн
254+48.25 грн
500+44.06 грн
1000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ONSEMI 2304363.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 94240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.93 грн
500+48.69 грн
1000+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+59.35 грн
14+55.65 грн
25+55.09 грн
100+52.41 грн
250+47.87 грн
500+45.32 грн
1000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : onsemi fdd86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 54987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.21 грн
10+52.61 грн
100+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86252-D.pdf MOSFETs 150 N-CH PwrTrench MOSFET
на замовлення 35553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.09 грн
10+56.24 грн
100+44.02 грн
500+43.06 грн
1000+42.66 грн
2500+40.58 грн
5000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ONSEMI 2304363.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 94240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+72.10 грн
50+63.12 грн
100+56.93 грн
500+48.69 грн
1000+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
625+75.93 грн
1250+72.62 грн
1875+72.26 грн
Мінімальне замовлення: 625
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252
Код товару: 154884
Додати до обраних Обраний товар

fdd86252-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 Виробник : ON-Semiconductor fdd86252-d.pdf N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD86252 ON Semiconductor TFDD86252
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 Виробник : ONSEMI fdd86252-d.pdf FDD86252 SMD N channel transistors
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.44 грн
17+71.04 грн
46+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.