FDD86252

FDD86252 ON Semiconductor


fdd86252jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.83 грн
5000+ 38.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86252 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD86252 за ціною від 35.51 грн до 98.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.92 грн
5000+ 38.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86252 FDD86252 Виробник : onsemi fdd86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+40.59 грн
5000+ 37.23 грн
12500+ 35.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.26 грн
11+ 55.62 грн
25+ 55.07 грн
100+ 39.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD86252 FDD86252 Виробник : ONSEMI fdd86252-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 83642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+61.58 грн
500+ 50.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD86252 FDD86252 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86252_D-2312194.pdf MOSFET 150 N-CH PwrTrench MOSFET
на замовлення 46760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.76 грн
10+ 74.49 грн
100+ 53.84 грн
500+ 47.93 грн
1000+ 38.72 грн
2500+ 37.39 грн
5000+ 36 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD86252 FDD86252 Виробник : ONSEMI fdd86252-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86252 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 83642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+92.22 грн
10+ 78.84 грн
100+ 61.58 грн
500+ 50.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDD86252 FDD86252 Виробник : onsemi fdd86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 75 V
на замовлення 80149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.25 грн
10+ 77.35 грн
100+ 60.15 грн
500+ 47.84 грн
1000+ 38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD86252 Виробник : ON-Semicoductor fdd86252-d.pdf N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD86252 ON Semiconductor TFDD86252
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD86252
Код товару: 154884
fdd86252-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86252 Виробник : ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86252 FDD86252 Виробник : ON Semiconductor fdd86252jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86252 Виробник : ONSEMI fdd86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 27A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 103mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній