FDD86326 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 61.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86326 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDD86326 за ціною від 54.14 грн до 198.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD86326 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 28280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86326 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 26525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86326 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V |
на замовлення 9700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|