FDD86326 onsemi


FDD86326-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+65.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86326 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDD86326 за ціною від 58.46 грн до 263.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD86326 FDD86326 onsemi / Fairchild FDD86326-D.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 28280 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+111.47 грн
10+98.63 грн
100+75.09 грн
500+69.22 грн
1000+62.82 грн
2500+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326 FDD86326 Fairchild Semiconductor fdd86326.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+144.03 грн
500+129.39 грн
1000+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326 FDD86326 onsemi FDD86326-D.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 6620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.36 грн
10+141.06 грн
50+108.21 грн
100+91.63 грн
500+74.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326 FDD86326 onsemi FDD86326-D.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 26507 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+263.33 грн
10+168.72 грн
100+101.57 грн
500+85.02 грн
1000+79.00 грн
2500+73.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326 FDD86326-D.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 28280 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.47 грн
10+98.63 грн
100+75.09 грн
500+69.22 грн
1000+62.82 грн
2500+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326 fdd86326.pdf
Виробник: Fairchild Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
255+144.03 грн
500+129.39 грн
1000+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326 FDD86326-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 6620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+225.36 грн
10+141.06 грн
50+108.21 грн
100+91.63 грн
500+74.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86326 FDD86326-D.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 26507 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.33 грн
10+168.72 грн
100+101.57 грн
500+85.02 грн
1000+79.00 грн
2500+73.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.