FDD86367-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 91.39 грн |
| 500+ | 69.03 грн |
| 1000+ | 60.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86367-F085 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDD86367-F085 за ціною від 59.74 грн до 190.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD86367-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 12765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86367-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86367-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDD86367-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDD86367-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDD86367-F085 | Виробник : ONSEMI |
FDD86367-F085 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
FDD86367-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDD86367-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |