Продукція > ONSEMI > FDD86367-F085

FDD86367-F085 onsemi

Name: FDD86367-F085
Brand: onsemi
SKU: 5289182-3
Price: 150125.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	60.05 грн
5000+	57.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDD86367-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 227W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.

Інші пропозиції FDD86367-F085 за ціною від 60.62 грн до 217.91 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FDD86367-F085

ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

на замовлення 2252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.68 грн
500+	74.22 грн
1000+	65.48 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

FDD86367-F085

onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.71 грн
10+	132.10 грн
100+	91.09 грн
500+	69.06 грн
1000+	66.11 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

FDD86367-F085

onsemi

MOSFETs MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 3176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.91 грн
10+	132.12 грн
100+	84.58 грн
500+	68.51 грн
1000+	65.48 грн
2500+	60.62 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

FDD86367-F085

ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

на замовлення 2252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	217.91 грн
10+	134.03 грн
100+	98.68 грн
500+	74.22 грн
1000+	65.48 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

FDD86367-F085

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

на замовлення 2252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	98.68 грн
500+	74.22 грн
1000+	65.48 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

FDD86367-F085

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	211.71 грн
10+	132.10 грн
100+	91.09 грн
500+	69.06 грн
1000+	66.11 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

FDD86367-F085

Виробник: onsemi
MOSFETs MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 3176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	217.91 грн
10+	132.12 грн
100+	84.58 грн
500+	68.51 грн
1000+	65.48 грн
2500+	60.62 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

FDD86367-F085

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

на замовлення 2252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	217.91 грн
10+	134.03 грн
100+	98.68 грн
500+	74.22 грн
1000+	65.48 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.