Продукція > ONSEMI > FDD86367
FDD86367

FDD86367 onsemi

FDD86367-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+59.43 грн
5000+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86367 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDD86367 за ціною від 65.61 грн до 209.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD86367 FDD86367 ON Semiconductor fdd86367-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+180.71 грн
250+101.82 грн
500+99.83 грн
1000+94.35 грн
2500+86.48 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 ONSEMI FDD86367-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 517 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.37 грн
10+112.01 грн
100+88.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 onsemi FDD86367-D.PDF Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.37 грн
10+130.38 грн
100+90.02 грн
500+68.29 грн
1000+65.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 onsemi FDD86367-D.PDF MOSFETs MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
на замовлення 7148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 fdd86367-d.pdf
FDD86367
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+180.71 грн
250+101.82 грн
500+99.83 грн
1000+94.35 грн
2500+86.48 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367-D.PDF
FDD86367
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 517 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+185.37 грн
10+112.01 грн
100+88.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367-D.PDF
FDD86367
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+209.37 грн
10+130.38 грн
100+90.02 грн
500+68.29 грн
1000+65.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367-D.PDF
FDD86367
Виробник: onsemi
MOSFETs MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
на замовлення 7148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.