Продукція > ONSEMI > FDD86367
FDD86367

FDD86367 onsemi

fdd86367-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.32 грн
5000+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86367 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDD86367 за ціною від 67.50 грн до 199.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86367 FDD86367 Виробник : ON Semiconductor fdd86367-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+113.63 грн
500+111.91 грн
1000+107.76 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 Виробник : ON Semiconductor fdd86367-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+134.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 Виробник : ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.82 грн
10+106.34 грн
100+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 Виробник : onsemi fdd86367-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.08 грн
10+130.47 грн
100+79.80 грн
500+70.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 Виробник : ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
On-state resistance: 8.4mΩ
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 88nC
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.78 грн
10+132.52 грн
100+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86367-D.PDF MOSFETs MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
на замовлення 7398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.10 грн
10+141.93 грн
100+75.35 грн
500+68.80 грн
1000+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 Виробник : ON Semiconductor fdd86367-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 Виробник : ON Semiconductor fdd86367-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.