FDD86367

FDD86367 onsemi


fdd86367-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.85 грн
5000+56.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86367 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDD86367 за ціною від 55.10 грн до 203.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86367 FDD86367 Виробник : ON Semiconductor fdd86367-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+117.96 грн
500+116.17 грн
1000+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 Виробник : ON Semiconductor fdd86367-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+139.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86367-D.PDF MOSFETs MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.64 грн
10+129.87 грн
100+67.07 грн
500+61.80 грн
1000+61.19 грн
2500+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 Виробник : onsemi fdd86367-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.26 грн
10+120.71 грн
100+83.31 грн
500+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 Виробник : onsemi FDD86367-D.PDF MOSFETs MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
на замовлення 7765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.61 грн
10+129.87 грн
100+72.55 грн
500+62.97 грн
1000+61.80 грн
2500+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86367 FDD86367 Виробник : ON Semiconductor fdd86367-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.