FDD86367 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 59.95 грн |
| 5000+ | 57.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86367 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDD86367 за ціною від 56.13 грн до 196.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD86367 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD86367 | Виробник : onsemi |
MOSFETs MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET |
на замовлення 7357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD86367 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD86367 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK On-state resistance: 8.4mΩ Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 227W Gate charge: 88nC Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 722 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD86367 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDD86367 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |