Продукція > ONSEMI > FDD86369-F085
FDD86369-F085

FDD86369-F085 onsemi


fdd86369_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.46 грн
5000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86369-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD86369-F085 за ціною від 39.16 грн до 153.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86369-F085 FDD86369-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86369_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085 FDD86369-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86369_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085 FDD86369-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86369_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085 FDD86369-F085 Виробник : ONSEMI 2907367.pdf Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.04 грн
500+56.11 грн
1000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085 FDD86369-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86369_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+79.98 грн
500+71.99 грн
1000+66.39 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085 FDD86369-F085 Виробник : onsemi / Fairchild fdd86369_f085-d.pdf MOSFETs 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.10 грн
10+91.12 грн
100+59.96 грн
500+48.30 грн
1000+42.89 грн
2500+39.54 грн
5000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085 FDD86369-F085 Виробник : onsemi fdd86369_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.17 грн
10+91.74 грн
100+62.12 грн
500+46.38 грн
1000+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085 FDD86369-F085 Виробник : ONSEMI 2907367.pdf Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.84 грн
10+96.58 грн
100+75.04 грн
500+56.11 грн
1000+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085
Код товару: 176089
Додати до обраних Обраний товар

fdd86369_f085-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085 FDD86369-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86369_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.