FDD86369-F085 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 42.35 грн |
| 5000+ | 39.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86369-F085 onsemi
Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDD86369-F085 за ціною від 39.05 грн до 153.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD86369-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86369-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86369-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86369-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86369-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86369-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench |
на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86369-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 25007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86369-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDD86369-F085 Код товару: 176089
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
FDD86369-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDD86369-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDD86369-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |