Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD86369
FDD86369

FDD86369 ON Semiconductor

fdd86369-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86369 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDD86369 за ціною від 45.77 грн до 145.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD86369 FDD86369 Виробник : onsemi fdd86369-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 FDD86369 Виробник : ON Semiconductor fdd86369-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+64.94 грн
100+58.88 грн
500+55.69 грн
1000+50.73 грн
2500+46.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 FDD86369 Виробник : onsemi / Fairchild fdd86369-d.pdf MOSFETs MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.41 грн
10+76.12 грн
100+54.08 грн
500+51.79 грн
1000+49.81 грн
2500+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 FDD86369 Виробник : ON Semiconductor fdd86369-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+92.48 грн
500+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 FDD86369 Виробник : ON Semiconductor fdd86369-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+92.48 грн
500+83.24 грн
1000+76.75 грн
10000+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 FDD86369 Виробник : ON Semiconductor fdd86369-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
330+92.48 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 FDD86369 Виробник : ON Semiconductor fdd86369-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+95.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 FDD86369 Виробник : onsemi fdd86369-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.01 грн
10+94.49 грн
100+67.08 грн
500+51.53 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 FDD86369 Виробник : ON Semiconductor fdd86369cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 FDD86369 Виробник : ON Semiconductor fdd86369-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 FDD86369 Виробник : ON Semiconductor fdd86369-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 Виробник : ONSEMI fdd86369-d.pdf FDD86369 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.