Продукція > ONSEMI > FDD86380-F085

FDD86380-F085 onsemi


fdd86380_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Qualification: AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.55 грн
5000+29.14 грн
7500+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86380-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 50A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-252AA, Qualification: AEC-Q101, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 75W (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDD86380-F085 за ціною від 32.76 грн до 118.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD86380-F085 FDD86380-F085 onsemi fdd86380_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.56 грн
10+72.16 грн
100+48.40 грн
500+35.84 грн
1000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86380-F085 FDD86380-F085 onsemi / Fairchild fdd86380_f085-d.pdf MOSFETs MV780/20V1000AMOSFET N-channelPowerTrench
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86380-F085 fdd86380_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.56 грн
10+72.16 грн
100+48.40 грн
500+35.84 грн
1000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86380-F085 fdd86380_f085-d.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs MV780/20V1000AMOSFET N-channelPowerTrench
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.