Продукція > ONSEMI > FDD8647L
FDD8647L

FDD8647L onsemi

fdd8647l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.24 грн
5000+35.21 грн
7500+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8647L onsemi

Description: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 43W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 43W, SVHC: Lead (14-Jun-2023), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

Інші пропозиції FDD8647L за ціною від 39.36 грн до 139.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD8647L FDD8647L ON Semiconductor fdd8647l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
711+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L FDD8647L Fairchild info-tfdd8647l.pdf N-Channel 40V 14A (Ta), 42A (Tc) 3.1W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD8647L ON Semiconductor TFDD8647L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L FDD8647L onsemi fdd8647l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 20 V
на замовлення 10089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.52 грн
100+57.70 грн
500+42.97 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L FDD8647L onsemi / Fairchild FDD8647L_D-2312137.pdf MOSFETs 40/20V Nch Power Trench
на замовлення 29052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L FDD8647L ON Semiconductor fdd8647l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L FDD8647L ONSEMI ONSM-S-A0003591064-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L FDD8647L ONSEMI ONSM-S-A0003591064-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L fdd8647l-d.pdf
FDD8647L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
711+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L info-tfdd8647l.pdf
FDD8647L
Виробник: Fairchild
N-Channel 40V 14A (Ta), 42A (Tc) 3.1W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD8647L ON Semiconductor TFDD8647L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L fdd8647l-d.pdf
FDD8647L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 20 V
на замовлення 10089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.52 грн
10+85.52 грн
100+57.70 грн
500+42.97 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L FDD8647L_D-2312137.pdf
FDD8647L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40/20V Nch Power Trench
на замовлення 29052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L fdd8647l-d.pdf
FDD8647L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L ONSM-S-A0003591064-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD8647L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8647L ONSM-S-A0003591064-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD8647L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.