Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDD86540
FDD86540

FDD86540 onsemi / Fairchild

fdd86540-d.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 20865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+89.63 грн
10+64.28 грн
100+45.18 грн
500+37.92 грн
1000+34.82 грн
2500+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86540 onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDD86540 за ціною від 38.29 грн до 147.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDD86540 FDD86540 onsemi fdd86540-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.28 грн
10+76.59 грн
100+51.53 грн
500+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540 FDD86540 ONSEMI 2724465.pdf Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.19 грн
10+93.74 грн
100+87.99 грн
500+76.05 грн
1000+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540 ON Semiconductor fdd86540-d.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540 fdd86540-d.pdf
FDD86540
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.28 грн
10+76.59 грн
100+51.53 грн
500+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540 2724465.pdf
FDD86540
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+147.19 грн
10+93.74 грн
100+87.99 грн
500+76.05 грн
1000+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540 fdd86540-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.