FDD86540 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 49.84 грн |
| 5000+ | 47.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86540 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 127W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 127W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm.
Інші пропозиції FDD86540 за ціною від 38.65 грн до 159.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD86540 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD86540 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD86540 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD86540 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD86540 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD86540 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD86540 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET |
на замовлення 20865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDD86540 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V Verlustleistung: 127W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm |
на замовлення 4016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDD86540 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 127W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V Verlustleistung: 127W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm |
на замовлення 4016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDD86540 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDD86540 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 50.03 грн |
| 5000+ | 47.33 грн |
| FDD86540 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 267+ | 52.85 грн |
| 268+ | 52.73 грн |
| 290+ | 48.82 грн |
| 292+ | 46.60 грн |
| 500+ | 42.14 грн |
| 1000+ | 39.50 грн |
| FDD86540 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 56.03 грн |
| 15+ | 52.85 грн |
| 25+ | 52.73 грн |
| 100+ | 47.07 грн |
| 250+ | 43.15 грн |
| 500+ | 40.46 грн |
| 1000+ | 39.50 грн |
| FDD86540 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.47 грн |
| 10+ | 77.31 грн |
| 100+ | 52.02 грн |
| 500+ | 38.65 грн |
| FDD86540 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 159.94 грн |
| 500+ | 144.65 грн |
| 1000+ | 132.89 грн |
| FDD86540 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 159.94 грн |
| 500+ | 144.65 грн |
| 1000+ | 132.89 грн |
| 10000+ | 114.53 грн |
| FDD86540 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET
MOSFETs 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 20865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDD86540 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD86540 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 127W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD86540 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





