FDD86540 ON Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 45.24 грн |
| 5000+ | 42.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86540 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 127W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDD86540 за ціною від 35.71 грн до 253.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD86540 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86540 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86540 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 127W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86540 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET |
на замовлення 20865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86540 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 136A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86540 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V |
на замовлення 15174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDD86540 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDD86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDD86540 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |