Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD86567-F085
FDD86567-F085

FDD86567-F085 ON Semiconductor

fdd86567_f085-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+159.21 грн
10000+145.49 грн
15000+135.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86567-F085 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDD86567-F085 за ціною від 76.65 грн до 235.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD86567-F085 FDD86567-F085 ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+159.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 FDD86567-F085 onsemi FDD86567_F085-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.82 грн
10+147.72 грн
100+102.59 грн
500+78.17 грн
1000+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567_F085 FDD86567_F085 Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567_F085 FDD86567_F085 Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 FDD86567-F085 onsemi / Fairchild FDD86567_F085-D.PDF MOSFETs 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 FDD86567-F085 ONSEMI ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 FDD86567-F085 ONSEMI ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 fdd86567_f085-d.pdf
FDD86567-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+159.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 FDD86567_F085-D.PDF
FDD86567-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.82 грн
10+147.72 грн
100+102.59 грн
500+78.17 грн
1000+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567_F085 FDD86567_F085.pdf
FDD86567_F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567_F085 FDD86567_F085.pdf
FDD86567_F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 FDD86567_F085-D.PDF
FDD86567-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD86567-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD86567-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.