Продукція > ONSEMI > FDD86567-F085
FDD86567-F085

FDD86567-F085 onsemi

fdd86567_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86567-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD86567-F085 за ціною від 64.56 грн до 193.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 227W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+113.36 грн
500+ 86.66 грн
1000+ 71.9 грн
2500+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+125.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+125.3 грн
5000+ 115.05 грн
10000+ 107.61 грн
15000+ 98.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : onsemi fdd86567_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.71 грн
10+ 125.53 грн
100+ 99.9 грн
500+ 79.33 грн
1000+ 67.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86567_F085_D-2312106.pdf MOSFET 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.24 грн
10+ 130.52 грн
100+ 95.47 грн
250+ 91.46 грн
500+ 80.78 грн
1000+ 68.76 грн
2500+ 64.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+193.97 грн
10+ 152.03 грн
25+ 137.05 грн
100+ 113.36 грн
500+ 86.66 грн
1000+ 71.9 грн
2500+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD86567_F085 FDD86567_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD86567_F085 FDD86567_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ONSEMI fdd86567_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD86567_F085 FDD86567_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
товар відсутній
FDD86567-F085 FDD86567-F085 Виробник : ONSEMI fdd86567_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній