Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD86567-F085
FDD86567-F085

FDD86567-F085 ON Semiconductor

fdd86567_f085-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+159.57 грн
10000+145.81 грн
15000+135.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86567-F085 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, Verlustleistung: 227W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.

Інші пропозиції FDD86567-F085 за ціною від 77.70 грн до 239.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD86567-F085 FDD86567-F085 ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+159.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 FDD86567-F085 onsemi FDD86567_F085-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.06 грн
10+149.75 грн
100+104.00 грн
500+79.24 грн
1000+77.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567_F085 FDD86567_F085 Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567_F085 FDD86567_F085 Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 FDD86567-F085 onsemi / Fairchild FDD86567_F085-D.PDF MOSFETs 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 FDD86567-F085 ONSEMI ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 15709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 FDD86567-F085 ONSEMI ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 15709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 fdd86567_f085-d.pdf
FDD86567-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+159.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 FDD86567_F085-D.PDF
FDD86567-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.06 грн
10+149.75 грн
100+104.00 грн
500+79.24 грн
1000+77.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567_F085 FDD86567_F085.pdf
FDD86567_F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567_F085 FDD86567_F085.pdf
FDD86567_F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 FDD86567_F085-D.PDF
FDD86567-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD86567-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 15709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86567-F085 ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD86567-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 15709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.