FDD86580-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 48.28 грн |
| 500+ | 44.29 грн |
| 1000+ | 28.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86580-F085 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDD86580-F085 за ціною від 28.51 грн до 57.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD86580-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60/20V 1000A NCnl PowerTrench MOSFET |
на замовлення 113879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD86580-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD86580-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDD86580-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDD86580-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |