FDD86581-F085 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 37.57 грн |
| 5000+ | 33.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD86581-F085 onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDD86581-F085 за ціною від 35.66 грн до 134.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD86581-F085 | onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET |
на замовлення 29970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDD86581-F085 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 9781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD86581-F085 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 17472 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDD86581-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
на замовлення 29970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.68 грн |
| 10+ | 86.73 грн |
| 100+ | 58.50 грн |
| 500+ | 48.35 грн |
| 1000+ | 38.84 грн |
| 2500+ | 36.16 грн |
| 5000+ | 35.66 грн |
| FDD86581-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.80 грн |
| 10+ | 82.46 грн |
| 100+ | 55.49 грн |
| 500+ | 41.23 грн |
| 1000+ | 37.74 грн |
| FDD86581-F085 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 17472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


