FDD8770 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 13 V
на замовлення 90725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 742+ | 26.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8770 Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 13 V.
Інші пропозиції FDD8770 за ціною від 126.21 грн до 202.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD8770 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET T6 60V SO8FL |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDD8770 | Виробник : fairchild |
07+ to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| FDD8770 | Виробник : fairchild |
to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FDD8770 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
| FDD8770 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 210A; Idm: 407A; 115W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 210A Pulsed drain current: 407A Power dissipation: 115W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| FDD8770 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 210A; Idm: 407A; 115W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 210A Pulsed drain current: 407A Power dissipation: 115W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |