FDD8870 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 47.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8870 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDD8870 за ціною від 39.1 грн до 176.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD8870 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 15437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8870 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V |
на замовлення 4607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8870 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8870 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8870 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8870 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8870 | Виробник : FAIRCHILD |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FDD8870 | Виробник : FAIRCHILD | 07+ TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDD8870 | Виробник : FAIRCHILD | D-PAK/ TO-252 |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDD8870 | Виробник : FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDD8870 Код товару: 103193 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FDD8870 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDD8870 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 160W; DPAK Mounting: SMD On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 118nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDD8870 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 160W; DPAK Mounting: SMD On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 118nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A |
товар відсутній |