Інші пропозиції FDD8870 за ціною від 18.29 грн до 88.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD8870 | Виробник : UMW |
 Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDD8870 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 11378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDD8870 | Виробник : FAIRCHILD |
TO-252 |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
FDD8870 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDD8870 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDD8870 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench |
товару немає в наявності |