FDD8874 UMW
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 116A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.99 грн |
| 10+ | 32.31 грн |
| 100+ | 20.92 грн |
| 500+ | 15.00 грн |
| 1000+ | 13.51 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8874 UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDD8874 за ціною від 50.99 грн до 92.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD8874 | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDD8874 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDD8874 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDD8874 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 269542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDD8874 |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2990 pF @ 15 V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 256+ | 77.95 грн |
| FDD8874 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 387+ | 92.11 грн |
| 500+ | 82.90 грн |
| 1000+ | 76.45 грн |
| FDD8874 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 387+ | 92.11 грн |
| 500+ | 82.90 грн |
| 1000+ | 76.45 грн |
| 10000+ | 65.73 грн |
| FDD8874 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 269542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 387+ | 92.11 грн |
| 500+ | 82.90 грн |
| 1000+ | 76.45 грн |
| 10000+ | 65.73 грн |
| 100000+ | 50.99 грн |