Продукція > ONSEMI > FDD8876
FDD8876

FDD8876 onsemi

FDD%2CFDU8876.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8876 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDD8876 за ціною від 39.29 грн до 143.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD8876 FDD8876 ON Semiconductor fdd8876-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.64 грн
5000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 FDD8876 ON Semiconductor fdd8876-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.64 грн
5000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 FDD8876 ONSEMI FDD%2CFDU8876.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.02 грн
8+57.07 грн
25+53.76 грн
100+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 FDD8876 ON Semiconductor fdd8876-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.69 грн
190+75.26 грн
223+63.99 грн
250+61.33 грн
500+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 FDD8876 onsemi / Fairchild FDD8876_D-2312073.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 35506 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+86.37 грн
10+75.02 грн
100+54.02 грн
500+47.57 грн
1000+46.98 грн
2500+40.39 грн
5000+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 FDD8876 ON Semiconductor fdd8876-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.63 грн
10+77.01 грн
25+76.59 грн
100+61.71 грн
250+56.79 грн
500+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 FDD8876 onsemi FDD%2CFDU8876.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.01 грн
10+87.91 грн
100+59.53 грн
500+44.42 грн
1000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 fdd8876-d.pdf
FDD8876
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.64 грн
5000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 fdd8876-d.pdf
FDD8876
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.64 грн
5000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 FDD%2CFDU8876.pdf
FDD8876
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.02 грн
8+57.07 грн
25+53.76 грн
100+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 fdd8876-d.pdf
FDD8876
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+75.69 грн
190+75.26 грн
223+63.99 грн
250+61.33 грн
500+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 FDD8876_D-2312073.pdf
FDD8876
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 35506 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.37 грн
10+75.02 грн
100+54.02 грн
500+47.57 грн
1000+46.98 грн
2500+40.39 грн
5000+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 fdd8876-d.pdf
FDD8876
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+89.63 грн
10+77.01 грн
25+76.59 грн
100+61.71 грн
250+56.79 грн
500+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8876 FDD%2CFDU8876.pdf
FDD8876
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.01 грн
10+87.91 грн
100+59.53 грн
500+44.42 грн
1000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.