FDD8880-SN00319 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8880-SN00319 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 305603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 38.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8880-SN00319 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8880-SN00319 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Power Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDD8880-SN00319 за ціною від 46.42 грн до 46.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD8880-SN00319 | Виробник : onsemi |
Description: FDD8880 - 35A, 30V, N-CHANNEL PO Packaging: Bulk |
на замовлення 305281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|