Продукція > ONSEMI > FDD8880-SN00319
FDD8880-SN00319

FDD8880-SN00319 onsemi

ONSM-S-A0003590714-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: FDD8880 - 35A, 30V, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
на замовлення 305281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
466+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8880-SN00319 onsemi

Description: ONSEMI - FDD8880-SN00319 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Power Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD8880-SN00319

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDD8880-SN00319 FDD8880-SN00319 ONSEMI ONSM-S-A0003590714-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD8880-SN00319 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 305603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8880-SN00319 ONSM-S-A0003590714-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDD8880-SN00319
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8880-SN00319 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 305603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.